38 Results for : 1210f

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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 33 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 25 • fL : 0,1 MHz• SRF min: 8 MHz• DCR typ.: 1,85 Ohm• I DC : 230 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 4,7 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 30 • fL : 1 MHz• SRF min: 70 MHz• DCR typ.: 0,65 Ohm• I DC : 390 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 470 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 22• fL : 0,1 MHz• SRF min: 2,3 MHz• DCR typ.: 20,5 Ohm• I DC : 75 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 47 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 25 • fL : 0,1 MHz• SRF min: 6,5 MHz• DCR typ.: 2,3 Ohm• I DC : 210 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 6,8 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 27 • fL : 1 MHz• SRF min: 28 MHz• DCR typ.: 0,78 Ohm• I DC : 360 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 680 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 22• fL : 0,1 MHz• SRF min: 1,9 MHz• DCR typ.: 25 Ohm• I DC : 65 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 68 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 23 • fL : 0,1 MHz• SRF min: 5,5 MHz• DCR typ.: 2,8 Ohm• I DC : 190 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 1,0 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 30 • fL : 1 MHz• SRF min: 200 MHz• DCR typ.: 0,28 Ohm• I DC : 600 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 150 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 30 • fL : 0,1 MHz• SRF min: 4 MHz• DCR typ.: 6,1 Ohm• I DC : 130 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 1,0 mH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 18• fL : 0,1 MHz• SRF min: 1,6 MHz• DCR typ.: 32 Ohm• I DC : 55 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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