23 Results for : 330µ

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    L-PIS2408 330µ - SMD-Power-Induktivität, PIS2408, Ferrit, 330µ
    SMD-Power-Induktivität - Bevorzugt in Schaltnetzteiltechnik.• fL: 1 kHz• Toleranz: ±20 %• DCR max.: 4,94 Ohm• Rated DC I: 0,19 A• Kern: Ferrit• Bauform: PIS2408• Abmessungen (LxBxH): 6,6 x 6,2 x 3 mm
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    L-PIS2812 330µ - SMD-Power-Induktivität, PIS2812, Ferrit, 330µ
    SMD-Power-Induktivität - Bevorzugt in Schaltnetzteiltechnik.• fL: 1 kHz• Toleranz: ±20 %• DCR max.: 2,62 Ohm• Rated DC I: 280 mA• Kern: Ferrit• Bauform: PIS2812• Abmessungen (LxBxH): 7,5 x 7,5 x 3,6 mm
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    L-PIS4720 330µ - SMD-Power-Induktivität, PIS4720, Ferrit, 330µ
    SMD-Power-Induktivität - Bevorzugt in Schaltnetzteiltechnik.• fL: 1 MHz• Toleranz: ±20 %• DCR max.: 510 mOhm• Rated DC I: 680 mA• Kern: Ferrit• Bauform: PIS4720• Abmessungen (LxBxH): 12,3 x 12,3 x 6,2 mm
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    L-PISG 330µ - SMD-Power-Induktivität, PISG, Ferrit, 330µ
    SMD-Power-Induktivität• fL: 0,1 MHz• Toleranz: ±20 %• Kern: Ferrit• Bauform: PISG• Abmessungen (LxBxH): 6,6 x 4,45 x 2,92 mm
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    L-PISR 330µ - SMD-Power-Induktivität, PISR, Ferrit, 330µ
    SMD-Power-Induktivität - Bevorzugt in Schaltnetzteiltechnik.• fL: 0,1 MHz• Toleranz: ±20 %• SRF min.: 2,7 MHz• DCR max.: 520 mOhm• Rated DC I: 1,9 A• Kern: Ferrit• Bauform: PISR• Abmessungen (LxBxH): 18,7 x 15,2 x 7,5 mm
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    L-PISA2816 330µ - SMD-Power-Induktivität, PISA2816, Ferrit, geschirmt, 330µ
    SMD-Power-Induktivität - Bevorzugt in Schaltnetzteiltechnik.• fL: 1 kHz• Toleranz: ±20 %• DCR max.: 1,86 Ohm• Rated DC I: 320 mA• Kern: Ferrit• Bauform: PISA2816• Abmessungen (LxBxH): 7,5 x 7,5 x 4,7 mm
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    09P 330µ - Stehende Induktivität, 09P, 330µH
    Stehende Induktivität mit mittlerem Nenngleichstrom, Ferrit.• Toleranz: ±10 %• Q min.: 35 bei f(Q) 0,796 MHz• SRF min.: 2,70 MHz• DCR max.: 1,0 Ohm• Rated DC I: 500 mA
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    L-1210F 330µ - Chip-Induktivität, 1210F, 330 µH
    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 330 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 23• fL : 0,1 MHz• SRF min: 2,8 MHz• DCR typ.: 14,1 Ohm• I DC : 85 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    L-1812AF 330µ - Chip-Induktivität, 1812AF, 330 µH
    • Design: 1812AF• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 330 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 38• fL : 0,79 MHz• SRF typ: 3,5 MHz• DCR typ.: 22,5 Ohm• I DC : 100 mA• Abmessungen (LxWxH): 4,9 x 3,8 x 3,65 mm
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    L-PIHV4119 330µ - Chip-Induktivität, PIHV4119, 330 µH
    FASTRON Chip-InduktivitätFASTRON ist in der Elektronik-Branche ein gut eingeführter Markenname für Induktivitäten aus den Bereichen Breitband Drosseln, Ringkern Drosseln, Entstör Drosseln, Stabkern Drosseln, axiale Drosseln, radiale Drosseln sowie SMD und SMD Power Indukivitäten.Eigenschaften der Serie: PIHV4119• Material: Ferrit, Kunststoff• DC-Strombereich: 0,17 ... 3 A• DC-Widerstandsbereich: 0,085 ... 9,85 Ohm• Induktivitätsbereich: 15 ... 2200 µH• Eigenresonanzfrequenz: 1,4 ... 17,3 MHz
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