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INTERNATIONAL RECTIFIER IRF 2804 - MOSFET, N-CH, 40V, 280A, 300W, TO-220AB (IRF2804PBF)

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INTERNATIONAL RECTIFIER IRLB 3036 IR - MOSFET, N-CH, 60V, 370A, 380W, TO-220 (IRLB3036PBF)

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International Rectifier Transistor unipolar (MOSFET) IRFP4568PBF N-Kanal Gehäuseart TO-247AC I(D) 171 A U(DS) 150 V (IRFP4568PBF)

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International Rectifier Kontroll-IC - CIC(R) IR2112-1 Gehäuseart DIP-14L Ausführung Control IC (IR2112-1)

Beschreibung Kontroll-IC - CIC(R) Technische Daten: Ausführung: Control IC Beschreibung: Control IC 600 V, 200/420 mA Gehäuseart: DIP-14L Hersteller: International Rectifier Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IR In PCB-Software verfügbar: Target 3001! Typ: IR2112-1

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International Rectifier Transistor unipolar (MOSFET) IRFP4468PBF N-Kanal Gehäuseart TO-247AC I(D) 290 A U(DS) 100 V (IRFP4468PBF)

Beschreibung Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Ausführung: N-Kanal Gehäuseart: TO-247AC Hersteller: International Rectifier Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IR I(D): 290 A R(DS)(on): 2.6 m? Typ: IRFP4468PBF U(DS): 100 V

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International Rectifier Transistor unipolar (MOSFET) IRLB4030PBF N-Kanal Gehäuseart TO-220AB I(D) 180 A U(DS) 100 V (IRLB4030PBF)

Beschreibung Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Ausführung: N-Kanal Gehäuseart: TO-220AB Hersteller: International Rectifier Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IR I(D): 180 A R(DS)(on): 4.3 m? Typ: IRLB4030PBF U(DS): 100 V

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International Rectifier IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor IRG4PC50UDPBF N-Kanal Gehäuseart TO-247 I(C) 27 A U(CES (IRG4PC50UDPBF)

Beschreibung IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor Technische Daten: Ausführung: N-Kanal Emitter-Sperrspannung U(CE): 2 V Gehäuseart: TO-247 Hersteller: International Rectifier Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IR I(C): 27 A I(C) @ T(C)=25 °C: 55 A P(D): 200 W Typ: IRG4PC50UDPBF U(CES): 600 V

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International Rectifier IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor IRG4PH40UDPBF N-Kanal Gehäuseart TO-247 I(C) 15 A U(CES (IRG4PH40UDPBF)

Beschreibung IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor Technische Daten: Ausführung: N-Kanal Emitter-Sperrspannung U(CE): 3.5 V Gehäuseart: TO-247 Hersteller: International Rectifier Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IR I(C): 15 A I(C) @ T(C)=25 °C: 30 A P(D): 160 W Typ: IRG4PH40UDPBF U(CES): 1200 V

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International Rectifier IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor IRG4PH50SPBF N-Kanal Gehäuseart TO-247 I(C) 33 A U(CES) (IRG4PH50SPBF)

Beschreibung IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor Technische Daten: Ausführung: N-Kanal Emitter-Sperrspannung U(CE): 1.7 V Gehäuseart: TO-247 Hersteller: International Rectifier Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IR I(C): 33 A I(C) @ T(C)=25 °C: 57 A In PCB-Software verfügbar: Target 3001! P(D): 200 W Typ: IRG4PH50SPBF U(CES): 1200 V

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International Rectifier MOSFET (HEXFET/FETKY) IRL3705NS N-Kanal Gehäuseart D2PAK I(D) 89 A U(DS) 55 V (IRL3705NS)

Beschreibung MOSFET (HEXFET/FETKY) Technische Daten: Ausführung: N-Kanal Beschreibung: 50 V/89 A Gehäuseart: D2PAK Hersteller: International Rectifier Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IR I(D @ 25°C): 89 A I(D @ HighTemp): 63 A I(D): 89 A In PCB-Software verfügbar: Target 3001! R(DS)(on): 0.01 ? R(th) (max.): 0.9 °C/W Typ: IRL3705NS U(DS): 55 V

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