78 Results for : tsop

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    IS61WV5128BLL-10 - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Die ISSI IS61WV5128Bxx sind sehr schnelle statische 8-Bit-CMOS-RAMs mit 524.288 Wörtern und niedrigem Stromverbrauch. Die IS61/64WV5128Bxx werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu einer höheren Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Die IS61/64WV5128Bxx arbeiten mit einer einzigen Stromversorgung. Die IS61/64WV5128BLL sind in 36-poligen 400-mil SOJ- und 44-poligen TSOP-Gehäusen (Typ II) erhältlich. Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 6.55 EUR excl. shipping
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    IS62C1024AL-35TL - SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 35ns, TSOP-32
    128K x 8 Low Power CMOS Static RAM, SRAM, 5V 128kx8 35ns TSOP32(l)BeschreibungDas ISSI IS62C1024AL/IS65C1024AL ist ein statisches 8-Bit-CMOS-RAM mit 131.072 Wörtern und geringem Stromverbrauch. Es wird mit Hochleistungs-CMOS-Technologie hergestellt. Dieses äußerst zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Schaltungsentwurfstechniken führt zu höherer Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE1 auf HIGH oder CE2 auf LOW (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung durch Verwendung von CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von zwei Chip-Enable-Eingängen, CE1 und CE2, möglich. Die aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers.Merkmale• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 35, 45 ns• Niedrige Wirkleistung: 100 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 20 µW (typisch) CMOS-Standby• Ausgangsfreigabe (OE) und zwei Chip-Enable-Eingänge (CE1 und CE2) für einfache Anwendungen• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche• Standard-Pin-Konfiguration: - 32-poliger SOP/ 32-poliger TSOP (Typ 1)• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 3.55 EUR excl. shipping
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    IS61WV1288EEBLL - High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-32
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 128kx8 10ns TSOP32(I) mit ECCBeschreibung:Das ISSI IS61/64WV1288EEBLL ist ein statisches Hochgeschwindigkeits-RAM mit 1.048.576 Bit, das als 131.072 Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser hochzuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Der IS61/64WV1288EEBLL ist im JEDEC-Standard-Gehäuse mit 32-poligem SOJ, TSOP-II, sTSOP-I und 48-Kugel-BGA (6mmx8mm) untergebracht.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzelne Stromversorgung• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Fehlererkennung und Fehlerkorrektur
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.15 EUR excl. shipping
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    Instrumentals
    BOURRASQUE|Cherry pink|Drina Marsch|HARLEM NOCTURNE|In the mood|L'UOMO DELL'AMONICA|MEXIKANISCHE SERENADE|POPCORN|Samba Pa Ti / Santana|SKOKIAAN|SUGAR BLUES|TSOP THE SOUND OF PHILADELPHIA
    • Shop: Notenbuch
    • Price: 30.20 EUR excl. shipping
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    Instrumentals 1
    BOURRASQUE|Cherry pink|Drina Marsch|Harlem nocturne|In the mood|L'UOMO DELL'AMONICA|MEXIKANISCHE SERENADE|POPCORN|Samba Pa Ti / Santana|SKOKIAAN|SUGAR BLUES|TSOP THE SOUND OF PHILADELPHIA
    • Shop: Notenbuch
    • Price: 15.00 EUR excl. shipping
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    CY7C1021DV33-10Z - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 64kx16 10ns TSOP44(II)Funktionale BeschreibungDer CY7C1021DV33 ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 65.536 Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Das Schreiben in den Baustein erfolgt, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) auf LOW gesetzt werden. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bis I/O15) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Das Lesen aus dem Baustein erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW genommen werden, während Write Enable (WE) HIGH erzwungen wird. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten von der durch die Adresspins angegebenen Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher an I/O8 bis I/O15. Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle am Ende dieses Datenblatts. Die Eingangs-/Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn das Gerät abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW, und WE LOW).Der CY7C1021DV33 ist in Pb-freien, 44-poligen, 400 Millimeter breiten, vergossenen SOJ-, 44-poligen TSOP II- und 48-Kugel-VFBGA-Gehäusen erhältlich.Merkmale• Temperaturbereiche - Industriell: -40 °C bis 85 °C - Automobil-A: -40 °C bis 85 °C• Pin- und funktionskompatibel mit CY7C1021CV33• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 60 mA @ 10 ns• Geringe CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2.0 V Datenspeicherung• Automatische Abschaltung bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung• Unabhängige Kontrolle der oberen und unteren Bits• Bleifrei erhältlich in 44-poligem 400 Mil breit gepresstem SOJ, 44-poligem TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 1.70 EUR excl. shipping
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    Disco 1
    DISCO|Daddy cool|Love is in the air / Young John Paul|TSOP - THE SOUND OF PHILADELPHIA|Moviestar|Yes Sir I Can Boogie|A walk in the park|Celebration
    • Shop: Notenbuch
    • Price: 19.50 EUR excl. shipping
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    • Price: 19.50 EUR excl. shipping
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    CY7C1049GN30-10Z - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II)Funktionale BeschreibungCY7C1049GN ist ein hochleistungsfähiger, schneller statischer CMOS-RAM-Baustein, der in 512K Worten zu 8 Bits organisiert ist. Das Schreiben von Daten erfolgt durch die Aktivierung der Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) auf LOW, während die Daten auf den Pins I/O0 bis I/O7 und die Adresse auf den Pins A0 bis A18 bereitgestellt werden. Daten werden gelesen, indem die Chip Enable (CE)- und Output Enable (OE)-Eingänge LOW gesetzt werden und die erforderliche Adresse auf den Adressleitungen bereitgestellt wird. Auf die gelesenen Daten kann über die I/O-Leitungen (I/O0 bis I/O7) zugegriffen werden. Alle E/As (E/A0 bis E/A7) werden während der folgenden Ereignisse in einen hochohmigen Zustand versetzt:• Das Gerät wird abgewählt (CE HIGH)• Das Steuersignal OE wird deaktiviert.Merkmale- Hohe Geschwindigkeit: tAA = 10 ns • Niedrige Wirk- und Ruheströme - Wirkstrom: Icc = 38-mA typisch - Standby-Strom: Isb2 = 6-mA typisch• Betriebsspannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V• 1.0-V-Datenspeicherung• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Pb-freie 44-polige TSOP II
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 3.45 EUR excl. shipping

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