168 Results for : 650v

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    IPW65R065C7 - MOSFET N-Ch 650V 33A 171W 0,065R TO247
    650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.
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    • Price: 7.20 EUR excl. shipping
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    IPW65R095C7 - MOSFET N-Ch 650V 24A 128W 0,095R TO247
    650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.
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    • Price: 5.59 EUR excl. shipping
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    IPW65R125C7 - MOSFET N-Ch 650V 18A 101W 0,125R TO247
    650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.
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    • Price: 3.45 EUR excl. shipping
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    IPW65R190C7 - MOSFET N-Ch 650V 13A 72W 0,19R TO247
    650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.
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    • Price: 2.75 EUR excl. shipping
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    IKP15N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 30A, 105W, TO-220
    IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IKP20N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220
    IKP20N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IKP30N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 55A, 188W, TO-220
    IKP30N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    • Price: 4.99 EUR excl. shipping
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    UJ3D06508TS - SiC-Schottkydiode 650V, MPS, 8A, Gen-III, TO-220-2L
    Gen-III | 8A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    UJ3D06510TS - SiC-Schottkydiode 650V, MPS, 10A, Gen-III, TO-220-2L
    Gen-III | 10A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    • Price: 3.55 EUR excl. shipping
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    UJ3D06516TS - SiC-Schottkydiode 650V, MPS, 16A, Gen-III, TO-220-2L
    Gen-III | 16A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 5.70 EUR excl. shipping

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