52 Results for : dmos

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    DN3545N3-G - MOSFET, N-Kanal, 450 V, 0,136 A, RDS(ON) 0,02 Ohm, TO-92
    Vertikaler N-Kanal-DMOS-FET im VerarmungsmodusBeschreibungDiese Verarmungstransistoren (normally-on) verwenden eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und das bewährte Silizium-Gate-Herstellungsverfahren von Supertex. Diese Kombination führt zu Bauelementen mit den Leistungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren und mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass diese Bauteile frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch sind. Die vertikalen DMOS-FETs von Supertex eignen sich ideal für eine breite Palette von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten gewünscht werden.Merkmale• Hohe Eingangsimpedanz• Niedrige Eingangskapazität• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten• Niedriger Einschaltwiderstand• Frei von sekundären Durchschlägen• Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
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    DN2530N3-G - MOSFET, N-Kanal, 300 V, 0,175 A, Rds(on): 12ohm , TO-92
    N-Kanal, Verarmungs-Modus, vertikaler DMOS-FETBeschreibungBei dem DN2530 handelt es sich um einen niedrigschwelligen Transistor im Verarmungsmodus mit normaler Einschaltdauer, der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet. Durch diese Kombination entsteht ein Bauelement mit den Leistungsbelastbarkeiten von Bipolartransistoren sowie der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die den Metall-Oxid-Halbleiter-Bauelementen (MOS) eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Ausreißen und thermisch induziertem sekundärem Durchschlag ist. Vertikale DMOS-Feldeffekttransistoren (FETs) eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.Merkmale• Hohe Eingangsimpedanz• Niedrige Eingangskapazität• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten• Niedriger On-Widerstand• Frei von sekundärer Aufschlüsselung• Geringe Eingangs- und AusgangsleckageAnwendungen• Normalerweise eingeschaltete Schalter• Festkörper-Relais• Konverter• Lineare Verstärker• Konstantstromquellen• Stromversorgungsschaltungen• Telekommunikation
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    Basera:The online marketing strategies
    Erscheinungsdatum: 06.06.2020, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: The online marketing strategies, Titelzusatz: of Destination Marketing Organisations (DMOs), South Africa Tourism (SAT) Southern Africa benchmark, Autor: Basera, Vitalis, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Wirtschaft // Werbung, Marketing, Seiten: 52, Informationen: Paperback, Gewicht: 96 gr, Verkäufer: averdo
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    LND150N3-G - DMOSFET, N-Kanal Depletion-Mode, 500 V, 1 mA, TO-92,
    DMOS-FET im N-Kanal-Verarmungs-ModusBeschreibung:Der LND150 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verarmungstransistor (normalerweise eingeschaltet), der die laterale DMOS-Technologie von Supertex verwendet. Das Tor ist ESD-geschützt. Der LND150 ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen normalerweise eingeschaltete Schalter, Präzisionskonstantstromquellen, Spannungsrampengenerierung und Verstärkung.Merkmale• Frei von sekundärer Aufschlüsselung• Niedriger Antriebsleistungsbedarf• Leichte Parallelisierung• Ausgezeichnete thermische Stabilität• Integrierte Source-Drain-Diode• Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS• ESD-Gate-SchutzAnwendungen:• Festkörper-Relais• Normalerweise eingeschaltete Schalter• Konverter• Stromversorgungsschaltungen• Konstantstromquellen• Eingangsschutzschaltungen Technical Data: • BVdsx: 500 V• RDS: 1000 Ohm• Ugs (off): -1,0 ... -3,0 V• Ic: 1 mA
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    L 6208 PD - Motortreiber, DMOS, SO-36
    Motortreiber Versorgungsspannung 8 -52 V Ausgangsstrom 5.6 A Gehäuse PSO-36Schaltfrequenz -100 kHz Betriebstemperatur -25-+125 °C
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    TDA 7294V - Audioleistungsverstärker, 100 W, AB, 1 Kanal, ± 10V ... ± 40V, M
    100 V, 100 W DMOS-Audio-Verstärker mit Mute/st-byBeschreibung:Der TDA7294 ist ein monolithisch integrierter Schaltkreis im Multiwatt15-Gehäuse, der für den Einsatz als Audio-Klasse-AB-Verstärker in Hi-Fi-Feldanwendungen (Home Stereo, self powered loudspeakers, Topclass TV) vorgesehen ist. Dank des weiten Spannungsbereichs und der hohen Ausgangsstromfähigkeit ist er in der Lage, die höchste Leistung sowohl an 4 O- als auch an 8 O-Lasten zu liefern, selbst bei schlechter Versorgungsregelung, mit hoher Versorgungsspannungsunterdrückung. Die eingebaute Muting-Funktion mit Einschaltverzögerung vereinfacht die Fernsteuerung und vermeidet Einschaltgeräusche.Merkmale:• Sehr hoher Betriebsspannungsbereich (± 40 V)• DMOS-Endstufe• Hohe Ausgangsleistung (bis zu 100 W Musikleistung)• Muting-/Stand-by-Funktionen• Kein Einschalt-/Ausschaltgeräusch• Keine Boucherot-Zellen• Sehr geringe Verzerrung• Sehr geringes Rauschen• Kurzschlussschutz• Thermische Abschaltung
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    TPIC 6B595 N - Powerlogik 8 Bit Schiebe-Register , DIL-20
    Leistungslogik 8-Bit-Schieberegister mit 150mA/KanalBeschreibung:Der Baustein TPIC6B595 ist ein monolithisches 8-Bit-Hochspannungs-Mittelstrom-Schieberegister mit mittlerer Leistung, das für den Einsatz in Systemen konzipiert ist, die eine relativ hohe Lastleistung benötigen. Der Baustein enthält eine eingebaute Spannungsklemme an den Ausgängen zum induktiven Transientenschutz. Zu den Leistungstreiber-Anwendungen gehören Relais, Magnetspulen und andere Mittelstrom- oder Hochspannungslasten. Der Baustein enthält ein 8-Bit-Schieberegister mit seriellem Eingang und parallelem Ausgang, das ein 8-Bit-Speicherregister vom Typ D speist. Der Datentransfer durch die Schiebe- und Speicherregister erfolgt mit der steigenden Flanke des Schieberegistertakts (SRCK) bzw. des Registertakts (RCK). Das Speicherregister überträgt Daten an den Ausgangspuffer, wenn der Schieberegistertakt (SRCLR) hoch ist. Wenn SRCLR niedrig ist, wird das Eingangsschieberegister gelöscht. Wenn die Ausgangsfreigabe (G) auf High gehalten wird, werden alle Daten in den Ausgangspuffern auf Low gehalten, und alle Drain-Ausgänge sind ausgeschaltet. Wenn G niedrig gehalten wird, sind die Daten aus dem Speicherregister für die Ausgangspuffer transparent. Wenn die Daten in den Ausgangspuffern niedrig gehalten werden, sind die DMOS-Transistorausgänge ausgeschaltet. Wenn die Daten hoch gehalten werden, sind die DMOS-Transistorausgänge sinkstromfähig. Der serielle Ausgang (SER OUT) ermöglicht die Kaskadierung der Daten aus dem Schieberegister zu zusätzlichen Geräten. Bei den Ausgängen handelt es sich um Low-Side-, Open-Drain-DMOS-Transistorausgänge mit Ausgangsnennleistungen von 50 V und 150 mA kontinuierlicher Senkenstromfähigkeit. Jeder Ausgang bietet eine typische Stromgrenze von 500 mA bei TC = 25°C. Die Stromgrenze sinkt mit steigender Sperrschichttemperatur, um einen zusätzlichen Bausteinschutz zu gewährleisten. Der TPIC6B595 ist für den Betrieb im Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 125°C ausgelegt.Merkmale:• Niedriges RDS(on), 5 O (typisch)• Lawinenenergie, 30 mJ• Acht Leistungs-DMOS-Transistorausgänge mit 150 mA Dauerstrom• Ausgangsklemmenspannung, 50 V• Geräte sind kaskadierbar• Niedriger StromverbrauchAnwendung:• Instrumentierungs-Cluster• Erzähl-Lampen• LED-Beleuchtung und Bedienelemente• Kfz-Relais oder Magnetspulen-Treiber
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    DN2535N3-G - MOSFET, N-CH, TO-92, 350 V, 0,15 A, 1 W
    DN2535 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.• High input impedance• Low input capacitance• Fast switching speeds• Low on-resistance• Free from secondary breakdown• Low input and output leakage Technical Data: • BVdsx: 350 V• RDS: 25 Ohm• Ugs: -1,5 ... -3,5 V• Ic: 150 mA
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    DN3135N8-G - MOSFET, N-CH, SOT-89, 350 V, 0,18 A, 1,3 W
    DN3135 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.• High input impedance• Low input capacitance• Fast switching speeds• Low on-resistance• Free from secondary breakdown• Low input and output leakage Technical Data: • BVdsx: 350 V• RDS: 35 Ohm• Ugs (off): -1,5 ... -3,5 V• Ic: 180 mA
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    DN3765K4-G - MOSFET, N-CH, DPAK, 650 V, 0,2 A, 2,5 W
    This depletion-mode (normally-on) transistor utilizes an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.• High input impedance• Low input capacitance• Fast switching speeds• Low on-resistance• Free from secondary breakdown• Low input and output leakage Technical Data: • BVdsx: 650 V• RDS: 8 Ohm• Ugs (Off): -1,5 ... -3,5 V • Ic: 200 mA
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