168 Results for : 650v

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    Gen-III | 20A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    Gen-III | 4A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    Gen-III | 30A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    Gen-III | 6A - 650V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    650V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very low Figure of Merit (R DS(on)* Q g and E oss)Very high commutation ruggednessEasy to useBetter light load efficiency compared to C3Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggednessBetter price performance in comparison to previous CoolMOS™ generationsMore efficient, more compact, lighter and coolerBenefits:Improved power densityImproved reliabilityGeneral purpose part can be used in both soft and hard switching topologiesBetter light load effciencyImproved effciency in hard switching applicationsImproved ease-of-useReduces possible ringing due to pcb layout and package parasitic effectsApplications:ConsumerAdaptereMobilityPFC stages for server & telecomSMPSPC powerSolarLighting
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    650V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very low Figure of Merit (R DS(on)* Q g and E oss)Very high commutation ruggednessEasy to useBetter light load efficiency compared to C3Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggednessBetter price performance in comparison to previous CoolMOS™ generationsMore efficient, more compact, lighter and coolerBenefits:Improved power densityImproved reliabilityGeneral purpose part can be used in both soft and hard switching topologiesBetter light load effciencyImproved effciency in hard switching applicationsImproved ease-of-useReduces possible ringing due to pcb layout and package parasitic effectsApplications:ConsumerAdaptereMobilityPFC stages for server & telecomSMPSPC powerSolarLighting
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    IKP08N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IKW30N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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