62 Results for : rdson

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    650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine...
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    Der L6230 ist ein vollintegrierter 3-Phasen Motortreiber, der für die FOC-Applikation (Vector-Control) optimiert wurde. Der Chip wurde in MultiPower-BCD-Technologie realisiert und vereint isolierte DMOS-Leistungstransistoren mit CMOS und bipolaren Schaltungen. Ein...
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    Der L6235 ist ein vollintegrierter 3-Phasen DC-Motortreiber (BLDC) auf DMOS-Basis mit Überstromschutzeinrichtung. Der Chip wurde in MultiPower-BCD-Technologie realisiert und vereint isolierte DMOS-Leistungstransistoren mit CMOS und bipolaren Schaltungen. Der Baustein bietet...
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    1200V SiC-MOSFET-Casecode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine...
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    1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr...
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    650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine...
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    650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine...
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    650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr...
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    650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine...
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    650V SiC-MOSFET-Casecode 27mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine...
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