78 Results for : tsop

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    39SF01070-4C-W - Multi-NOR-Flash-Speicher, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, TSOP-32
    Beschreibung:Bei dem SST39SF010A / 020A / 040 handelt es sich um CMOS-Mehrzweckblitz (MPF), der mit der proprietären Hochleistungs-CMOS-SuperFlash-Technologie von SST hergestellt wird. Das Split-Gate-Zellendesign und der Dickoxid-Tunnelinjektor erzielen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte schreiben (programmieren oder löschen) mit einer 4,5-5,5-V-Stromversorgung.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte entsprechen den JEDEC-Standard-Pinbelegungen für x8-Speicher.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte bieten ein leistungsstarkes Byte-Programm und eine maximale Byte-Programm-Zeit von 20 µs.Diese Geräte verwenden Toggle Bit oder Data # Polling, um den Abschluss des Programmiervorgangs anzuzeigen.Zum Schutz vor versehentlichem Schreiben verfügen sie über integrierte Hardware- und Softwaredatenschutzschemata.Diese Geräte wurden für ein breites Anwendungsspektrum entwickelt, hergestellt und getestet und bieten eine garantierte typische Lebensdauer von 100.000 Zyklen.Die Vorratsdatenspeicherung wird auf mehr als 100 Jahre veranschlagt.Eigenschaften• Organisiert als 128K x8 / 256K x8 / 512K x8• Einzelne 4.5-5.5V Lese- und Schreibvorgänge• Überlegene Zuverlässigkeit- Lebensdauer: 100.000 Zyklen (typisch)- Mehr als 100 Jahre Vorratsdatenspeicherung• Geringer Stromverbrauch (typische Werte bei 14 MHz)- Wirkstrom: 10 mA (typisch)- Standby-Strom: 30 µA (typisch)• Sektorlöschfunktionalität- Einheitliche 4 KByte Sektoren• Schnelle Lesezugriffszeit:- 70 ns• Gespeicherte Adresse und Daten• Automatisches Schreib-Timing- Interne VPP-Generierung• Schnelles Löschen und Byte-Programm- Sektor-Löschzeit: 18 ms (typisch)- Chip-Erase-Zeit: 70 ms (typisch)- Byte-Programmierzeit: 14 µs (typisch)- Chip-Rewrite-Zeit:2 Sekunden (typisch) für SST39SF010A4 Sekunden (typisch) für SST39SF020A8 Sekunden (typisch) für SST39SF040• Erkennung des Schreib-Ende- Toggle Bit- Datenabfrage• TTL I/O-Kompatibilität• JEDEC-Standard- Flash EEPROM Pinbelegung und Befehlssätze• Verfügbare Gehäuse- PLCC mit 32 Anschlüssen- TSOP mit 32 Anschlüssen (8 mm x 14 mm)- 32-poliges PDIP• Alle Bauteile sind RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, Tray- oder auch Gurtware, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 1.75 EUR excl. shipping
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    39SF02070-4C-W - Multi-NOR-Flash-Speicher, 2 Mb (256 K x 8), 5 V, TSOP-32
    Beschreibung:Bei dem SST39SF010A / 020A / 040 handelt es sich um CMOS-Mehrzweckblitz (MPF), der mit der proprietären Hochleistungs-CMOS-SuperFlash-Technologie von SST hergestellt wird. Das Split-Gate-Zellendesign und der Dickoxid-Tunnelinjektor erzielen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte schreiben (programmieren oder löschen) mit einer 4,5-5,5-V-Stromversorgung.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte entsprechen den JEDEC-Standard-Pinbelegungen für x8-Speicher.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte bieten ein leistungsstarkes Byte-Programm und eine maximale Byte-Programm-Zeit von 20 µs.Diese Geräte verwenden Toggle Bit oder Data # Polling, um den Abschluss des Programmiervorgangs anzuzeigen.Zum Schutz vor versehentlichem Schreiben verfügen sie über integrierte Hardware- und Softwaredatenschutzschemata.Diese Geräte wurden für ein breites Anwendungsspektrum entwickelt, hergestellt und getestet und bieten eine garantierte typische Lebensdauer von 100.000 Zyklen.Die Vorratsdatenspeicherung wird auf mehr als 100 Jahre veranschlagt.Eigenschaften• Organisiert als 128K x8 / 256K x8 / 512K x8• Einzelne 4.5-5.5V Lese- und Schreibvorgänge• Überlegene Zuverlässigkeit- Lebensdauer: 100.000 Zyklen (typisch)- Mehr als 100 Jahre Vorratsdatenspeicherung• Geringer Stromverbrauch (typische Werte bei 14 MHz)- Wirkstrom: 10 mA (typisch)- Standby-Strom: 30 µA (typisch)• Sektorlöschfunktionalität- Einheitliche 4 KByte Sektoren• Schnelle Lesezugriffszeit:- 70 ns• Gespeicherte Adresse und Daten• Automatisches Schreib-Timing- Interne VPP-Generierung• Schnelles Löschen und Byte-Programm- Sektor-Löschzeit: 18 ms (typisch)- Chip-Erase-Zeit: 70 ms (typisch)- Byte-Programmierzeit: 14 µs (typisch)- Chip-Rewrite-Zeit:2 Sekunden (typisch) für SST39SF010A4 Sekunden (typisch) für SST39SF020A8 Sekunden (typisch) für SST39SF040• Erkennung des Schreib-Ende- Toggle Bit- Datenabfrage• TTL I/O-Kompatibilität• JEDEC-Standard- Flash EEPROM Pinbelegung und Befehlssätze• Verfügbare Gehäuse- PLCC mit 32 Anschlüssen- TSOP mit 32 Anschlüssen (8 mm x 14 mm)- 32-poliges PDIP• Alle Bauteile sind RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, Tray- oder auch Gurtware, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 1.90 EUR excl. shipping
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    39SF04070-4C-W - Multi-NOR-Flash-Speicher, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, TSOP-32
    Beschreibung:Bei dem SST39SF010A / 020A / 040 handelt es sich um CMOS-Mehrzweckblitz (MPF), der mit der proprietären Hochleistungs-CMOS-SuperFlash-Technologie von SST hergestellt wird. Das Split-Gate-Zellendesign und der Dickoxid-Tunnelinjektor erzielen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte schreiben (programmieren oder löschen) mit einer 4,5-5,5-V-Stromversorgung.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte entsprechen den JEDEC-Standard-Pinbelegungen für x8-Speicher.Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte bieten ein leistungsstarkes Byte-Programm und eine maximale Byte-Programm-Zeit von 20 µs.Diese Geräte verwenden Toggle Bit oder Data # Polling, um den Abschluss des Programmiervorgangs anzuzeigen.Zum Schutz vor versehentlichem Schreiben verfügen sie über integrierte Hardware- und Softwaredatenschutzschemata.Diese Geräte wurden für ein breites Anwendungsspektrum entwickelt, hergestellt und getestet und bieten eine garantierte typische Lebensdauer von 100.000 Zyklen.Die Vorratsdatenspeicherung wird auf mehr als 100 Jahre veranschlagt.Eigenschaften• Organisiert als 128K x8 / 256K x8 / 512K x8• Einzelne 4.5-5.5V Lese- und Schreibvorgänge• Überlegene Zuverlässigkeit- Lebensdauer: 100.000 Zyklen (typisch)- Mehr als 100 Jahre Vorratsdatenspeicherung• Geringer Stromverbrauch (typische Werte bei 14 MHz)- Wirkstrom: 10 mA (typisch)- Standby-Strom: 30 µA (typisch)• Sektorlöschfunktionalität- Einheitliche 4 KByte Sektoren• Schnelle Lesezugriffszeit:- 70 ns• Gespeicherte Adresse und Daten• Automatisches Schreib-Timing- Interne VPP-Generierung• Schnelles Löschen und Byte-Programm- Sektor-Löschzeit: 18 ms (typisch)- Chip-Erase-Zeit: 70 ms (typisch)- Byte-Programmierzeit: 14 µs (typisch)- Chip-Rewrite-Zeit:2 Sekunden (typisch) für SST39SF010A4 Sekunden (typisch) für SST39SF020A8 Sekunden (typisch) für SST39SF040• Erkennung des Schreib-Ende- Toggle Bit- Datenabfrage• TTL I/O-Kompatibilität• JEDEC-Standard- Flash EEPROM Pinbelegung und Befehlssätze• Verfügbare Gehäuse- PLCC mit 32 Anschlüssen- TSOP mit 32 Anschlüssen (8 mm x 14 mm)- 32-poliges PDIP• Alle Bauteile sind RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, Tray- oder auch Gurtware, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
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    • Price: 2.60 EUR excl. shipping
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    CY7C1021D-10ZSXI - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 5 V, 10ns, TSOP-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 64kx16 10ns TSOP44(II)Funktionale Beschreibung:Der CY7C1021D ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 65.536 Worte mit 16 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Die Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH), Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Schreiben auf das Gerät unter Verwendung der Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bis I/O15) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Lesen Sie aus dem Gerät, indem Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW nehmen, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten von der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher an I/O8 bis I/O15. Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle auf Seite 10. Der Baustein CY7C1021D eignet sich für den Anschluss an Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er eignet sich nicht für Prozessoren, die CMOS-I/P-Pegel benötigen.Merkmale:• Temperaturbereiche: Industriell: -40 °C bis 85 °C• Pin und Funktion kompatibel mit CY7C1021B• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 80 mA bei 10 ns• Niedrige CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2,0 V Datenspeicherung• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Unabhängige Kontrolle der oberen und unteren Bits• Erhältlich in Pb-freien 44-poligen 400-Mil Wide Molded SOJ und44-poligem TSOP-II-Gehäuse
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    • Price: 2.10 EUR excl. shipping
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    CY62146ELL-45ZSX - SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 45ns, TSOP-44
    4-Mbit (256 K × 16) Static RAM, SRAM, 5V 256kx16 45ns TSOP32(II)BeschreibungDer CY62146E ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 256K-Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Es ist ideal für die Bereitstellung einer längeren Batterielebensdauer (MoBL®) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99%, wenn es abgewählt wird (CE HIGH). Die Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), sowohl Byte High Enable als auch Byte Low Enable deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A17) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bisI/O15) wird an die auf den Adresspins (A0 bis A17) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten aus der durch die Adresspins angegebenen Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher auf I/O8 bis I/O15. Siehe Wahrheitstabelle auf Seite 11 für eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi. Der Baustein CY62146E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns• Großer Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 1 µA - Maximaler Standby-Strom: 7 µA• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 2 mA bei f = 1 MHz• Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Erhältlich im Pb-freien 44-Pin Thin Small Outline Package (TSOP) Typ II-Paket
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    • Price: 13.10 EUR excl. shipping
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    RE 936-04 - Multiadapter TSOP56 & HTSOP56 0,65 mm Pitch
    Adapter für TSOP56 und HTSOP56Epoxydglashartgewebe FR4 1,50 mmZweiseitig 35 µm CuDurchkontaktiert (PTH)Oberfläche chem. Ni/AuLötstopplackAdaptionsplatine für TSOP 56 und HTSOP 56Pitch: 0,65 mmEinreihig ausgeleitet in das Raster 2,54 mmBohrungen Ø 1,10 mm mit Lötinseln Ø 2,20 mmZwei Experimentierfelder mit 8 x 8 quadratischen Lötinseln 2,20 x 2,20 mmGröße 73,66 x 43,18 mm
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 4.50 EUR excl. shipping
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    RE 936-05 - Multiadapter TSOP56 & HTSOP56 0,50 mm Pitch
    Adapter für TSOP56 und HTSOP56Epoxydglashartgewebe FR4 1,50 mmZweiseitig 35 µm CuDurchkontaktiert (PTH)Oberfläche chem. Ni/AuLötstopplackAdaptionsplatine für TSOP 56 und HTSOP 56Pitch: 0,5 mmEinreihig ausgeleitet in das Raster 2,54 mmBohrungen Ø 1,10 mm mit Lötinseln Ø 2,20 mmZwei Experimentierfelder mit 9 x 8 quadratischen Lötinseln 2,20 x 2,20 mmGröße 73,66 x 43,18 mm
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 4.50 EUR excl. shipping
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    IS61C5128AL-10KL - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 10ns, SO-36J
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 512kx8 10ns SOJ-36Beschreibung:Die ISSI IS61C5128AL/AS und IS64C5128AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 524.288 Worte mal 8 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C5128AL/AS sind in den JEDEC-Standard-Gehäusen 36-Pin SOJ (400-mil), 32-Pin sTSOP-I, 32-Pin SOP, 44-Pin TSOP-II und 32-Pin TSOP-II untergebracht.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Erhältlich in einem 36-poligen SOJ (400-mil)-Gehäuse und einem 44-poligen TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 4.02 EUR excl. shipping
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    TSOP 31230 - IR-Empfänger-Module, 30kHz, 90°, Side-View
    IR-Empfängermodule für FernsteuerungssystemeBeschreibung:Die Serien TSOP312..., TSOP314... sind miniaturisierte Empfänger für Infrarot-Fernsteuerungssysteme. Eine PIN-Diode und ein Vorverstärker sind auf einem Leadframe montiert, das Epoxidgehäuse fungiert als IR-Filter. Das demodulierte Ausgangssignal kann direkt von einem Mikroprozessor dekodiert werden. Der TSOP312... ist mit allen gängigen IR-Fernbedienungsdatenformaten kompatibel. Der TSOP314... ist optimiert, um fast alle Störimpulse von energiesparenden Leuchtstofflampen zu unterdrücken, kann aber auch einige Datensignale unterdrücken. Diese Komponente wurde nicht nach Automobilspezifikationen qualifiziert.Merkmale:• Sehr niedriger Versorgungsstrom• Fotodetektor und Vorverstärker in einem Gehäuse• Interner Filter für PCM-Frequenz• Verbesserte Abschirmung gegen EMI• Versorgungsspannung: 2,5 V bis 5,5 V• Verbesserte Immunität gegen Umgebungslicht• Unempfindlich gegen Welligkeit der Versorgungsspannung und Rauschen
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 0.97 EUR excl. shipping
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    TSOP 31233 - IR-Empfänger-Module, 33kHz, 90°, Side-View
    IR-Empfängermodule für FernsteuerungssystemeBeschreibung:Die Serien TSOP312..., TSOP314... sind miniaturisierte Empfänger für Infrarot-Fernsteuerungssysteme. Eine PIN-Diode und ein Vorverstärker sind auf einem Leadframe montiert, das Epoxidgehäuse fungiert als IR-Filter. Das demodulierte Ausgangssignal kann direkt von einem Mikroprozessor dekodiert werden. Der TSOP312... ist mit allen gängigen IR-Fernbedienungsdatenformaten kompatibel. Der TSOP314... ist optimiert, um fast alle Störimpulse von energiesparenden Leuchtstofflampen zu unterdrücken, kann aber auch einige Datensignale unterdrücken. Diese Komponente wurde nicht nach Automobilspezifikationen qualifiziert.Merkmale:• Sehr niedriger Versorgungsstrom• Fotodetektor und Vorverstärker in einem Gehäuse• Interner Filter für PCM-Frequenz• Verbesserte Abschirmung gegen EMI• Versorgungsspannung: 2,5 V bis 5,5 V• Verbesserte Immunität gegen Umgebungslicht• Unempfindlich gegen Welligkeit der Versorgungsspannung und Rauschen
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 0.87 EUR excl. shipping

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