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    650V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very low Figure of Merit (R DS(on)* Q g and E oss)Very high commutation ruggednessEasy to useBetter light load efficiency compared to C3Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggednessBetter price performance in comparison to previous CoolMOS™ generationsMore efficient, more compact, lighter and coolerBenefits:Improved power densityImproved reliabilityGeneral purpose part can be used in both soft and hard switching topologiesBetter light load effciencyImproved effciency in hard switching applicationsImproved ease-of-useReduces possible ringing due to pcb layout and package parasitic effectsApplications:ConsumerAdaptereMobilityPFC stages for server & telecomSMPSPC powerSolarLighting
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    IKA08N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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