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IR 2183S SMD - Brückentreiber, Halbbrücke, SO-8

Der IR 2183S ist ein High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit abhängigen Ausgangskanälen. Die Logik-Eingänge sind kompatibel mit den Standard CMOS- oder LSTTL-Ausgängen bis zu 3,3 V.Gehäuse: SO-8

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RD BRIDGE 3 - Brückentreiber, Halbbrücke, SSOP-24

Source-Ausgangsstrom 1 AAusgangsspannung 10.4...20 VAusgangsspannung max. 20 VAusgangsspannung min. 10.4 VVersorgungsspannung min. 11.5 VVersorgungsspannung max. 20 VSink-Ausgangsstrom 1.5 ABetriebstemperatur -40...+125 °CVersorgungsspannung 11.5...20 V

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HIP 4082 IPZ - Brückentreiber, Halbbrücke, DIP-16

The HIP4082 is a medium frequency, medium voltage H-Bridge N-Channel MOSFET driver IC, available in 16 lead plastic SOIC (N) and DIP packages. Specifically targeted for PWM motor control and UPS applications, bridge based designs are made simple and flexible with the HIP4082 H-bridge driver. With operation up to 80V, the device is best suited to applications of moderate power levels.

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LMD 18201 T - Motortreiber, Halbbrücke, TO-220-11

The LMD18201 is a 3A H-Bridge designed for motion control applications. The device is built using a multi-technology process which combines bipolar and CMOS control circuitry with DMOS power devices on the same monolithic structure. The H-Bridge configuration is ideal for driving DC and stepper motors. The LMD18201 accommodates peak output currents up to 6A. Current sensing can be achieved via a small sense resistor connected in series with the power ground lead. For current sensing without disturbing the path of current to the load, the LMD18200 is recommended.

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STMicroelectronics PMIC - Voll-, Halbbrückentreiber L298N Induktiv Bipolar Multiwatt-15 (L298N)

Beschreibung PMIC - Voll-, Halbbrückentreiber Integrierte Schaltkreise führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche Ihnen zum kostenlosen Download bereitsteht. Technische Daten: Anwendungen: DC-Motoren, Relais, Solenoide, Schrittmotoren Ausgangskonfiguration: Halbbrücke (4) Ausgangsstrom (max.): 2 A Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C Betriebstemperatur (min.) (num): -40 °C Fehlerschutz: Strombegrenzung, Übertemperatur Gehäuseart (Halbleiter): Multiwatt-15 Hersteller: STMicroelectronics Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM Last-Spannung (max.): 46 V Last-Spannung (min.): 4.8 V Last-Typ: Induktiv Montageart: Durchführungsloch PMICs-Typ (Kategorisierung): PMIC - Voll-, Halbbrückentreiber Schnittstellen (Bauelemente): Logik Spannungseingang max.: 7 V Spannungseingang min.: 4.5 V Technologie (PMIC): Bipolar Typ (Hersteller-Typ): L298N

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STMicroelectronics PMIC - Voll-, Halbbrückentreiber L298HN Induktiv Bipolar Multiwatt-15 (L298HN)

Beschreibung PMIC - Voll-, Halbbrückentreiber Integrierte Schaltkreise führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche Ihnen zum kostenlosen Download bereitsteht. Technische Daten: Anwendungen: DC-Motoren,Relais,Solenoide,Schrittmotoren Ausgangskonfiguration: Halbbrücke (4) Ausgangsstrom (max.): 2 A Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C Betriebstemperatur (min.) (num): -40 °C Fehlerschutz: Strombegrenzung,Übertemperatur Gehäuseart (Halbleiter): Multiwatt-15 Hersteller: STMicroelectronics Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM Last-Spannung (max.): 46 V Last-Spannung (min.): 4.8 V Last-Typ: Induktiv Montageart: Durchführungsloch PMICs-Typ (Kategorisierung): PMIC - Voll-, Halbbrückentreiber Schnittstellen (Bauelemente): Logik Spannungseingang max.: 7 V Spannungseingang min.: 4.5 V Technologie (PMIC): Bipolar Typ (Hersteller-Typ): L298HN

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GD100HFU120C1S - IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 100 A, C1.0-Gehäuse, Ultra

GD100HFU120C1S, IGBT-Modul 1200V/100A 2 in einem GehäuseBeschreibung:Das STARPOWER IGBT-Leistungsmodul bietet eine ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit sowie eine hohe Kurzschlussfestigkeit. Es ist für Anwendungen wie elektronische Schweißgeräte und induktive Erwärmung konzipiert.Merkmale:• NPT-IGBT-Technologie• 10µs Kurzschlussfestigkeit• Geringe Schaltverluste• Robuste und ultraschnelle Leistung• VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Gehäuse mit niedriger Induktivität• Schnelle und weiche Umkehrerholung mit antiparallelem FWD• Isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-TechnologieAnwendungen:• Stromversorgungen im Schaltbetrieb• Induktive Erwärmung• Elektronische Schweißgeräte

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GD200HFU120C2S - IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 200 A, C2.0-Gehäuse, Ultra

GD200HFU120C2S, IGBT-Modul 1200V/200A 2 in einem GehäuseBeschreibung:Das STARPOWER IGBT-Leistungsmodul bietet eine ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit sowie eine hohe Kurzschlussfestigkeit. Es ist für Anwendungen wie elektronische Schweißgeräte und induktive Erwärmung konzipiert.Merkmale:• NPT-IGBT-Technologie• 10µs Kurzschlussfestigkeit• Geringe Schaltverluste• Robuste und ultraschnelle Leistung• VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Gehäuse mit niedriger Induktivität• Schnelle und weiche Umkehrerholung mit antiparallelem FWD• Isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-TechnologieAnwendungen:• Stromversorgungen im Schaltbetrieb• Induktive Erwärmung• Elektronische Schweißgeräte

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GD400HFU120C2S - IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 400 A, C2.3-Gehäuse, Ultra

GD400HFU120C2S, IGBT-Modul 1200V/400A 2 in einem GehäuseBeschreibung:Das STARPOWER IGBT-Leistungsmodul bietet eine ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit sowie eine hohe Kurzschlussfestigkeit. Es ist für Anwendungen wie elektronische Schweißgeräte und induktive Erwärmung konzipiert.Merkmale:• NPT-IGBT-Technologie• 10µs Kurzschlussfestigkeit• Geringe Schaltverluste• Robuste und ultraschnelle Leistung• VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Gehäuse mit niedriger Induktivität• Schnelle und weiche Umkehrerholung mit antiparallelem FWD• Isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-TechnologieAnwendungen:• Stromversorgungen im Schaltbetrieb• Induktive Erwärmung• Elektronische Schweißgeräte

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GD75HFU120C1S - IGBT-Array-Modul, Halbbrücke, 1200 V, 75 A, C1.0-Gehäuse, Ultra

GD75HFU120C1S, IGBT-Modul 1200V/75A 2 in einem GehäuseBeschreibung:Das STARPOWER IGBT-Leistungsmodul bietet eine ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit sowie eine hohe Kurzschlussfestigkeit. Es ist für Anwendungen wie elektronische Schweißgeräte und induktive Erwärmung konzipiert.Merkmale:• NPT-IGBT-Technologie• 10µs Kurzschlussfestigkeit• Geringe Schaltverluste• Robuste und ultraschnelle Leistung• VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Gehäuse mit niedriger Induktivität• Schnelle und weiche Umkehrerholung mit antiparallelem FWD• Isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-TechnologieAnwendungen:• Stromversorgungen im Schaltbetrieb• Induktive Erwärmung• Elektronische Schweißgeräte

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