62 Results for : rdson

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    650V SiC-MOSFET-Casecode 42mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine...
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    650V SiC-MOSFET-Kaskode 42mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr...
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    BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, geringem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen...
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    Der L6208 ist ein vollintegrierter DMOS-Motortreiber mit Überstromschutzeinrichtung, realisiert in BCD-Technologie, die isolierte DMOS-Leistungstransistoren mit CMOS und bipolaren Schaltungen auf demselben Chip kombiniert. Der Chip bietet alle nötigen Funktionen, um...
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    HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem...
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    FeaturesInternal 37mO RDSON MOSFETsContinuous 3A Output Current±1% Output Accuracy Over Load, Line, and TemperatureOperates from 2.35V to 3.6V SupplyAdjustable Output from 0.6V to (0.9 x VIN)Soft-Start Reduces Inrush Supply Current500kHz...
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    TMC260C Hocheffiziente Schrittschalttreiber für Zwei-Phasen-Motoren mit modernsten Features.Kompatibles Upgrade zum TMC260A. BESCHREIBUNGDer TMC260 bietet eine integrierte Motortreiberlösung für Laborautomatisierung, 3D-Druck, Scanner und andere automatisierte Anwendungen. Der Baustein verfügt über einen...
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    N-Kanal 800 V, 0,37 O typ., 12 A MDmesh™ K5 Leistungs-MOSFETs in D²PAK, TO-220FP, TO-220 und TO-247Beschreibung:Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden unter Verwendung der MDmesh™ K5-Technologie entwickelt, die...
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    1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine...
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    1200V SiC-MOSFET-Kaskode 150mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine...
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