62 Results for : rdson

  • Thumbnail
    UF3C065040K3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 54A, Rdson 0,042R TO-247-3L
    650V SiC-MOSFET-Casecode 42mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 22.60 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    UF3C065040K4S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 54A, Rdson 0,042R TO-247-4L
    650V SiC-MOSFET-Kaskode 42mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 24.50 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    IRF 9510 - P-CH-MOSFET, 100V, 4A, Rdson 1,2R, TO-220AB
    BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, geringem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.FEATURES- Dynamische dV/dt Bewertung- Repetitive avalanche rated- 175 °C Betriebstemperatur- Schnelles Schalten- Einfache Parallelisierung- Einfache Antriebsanforderungen
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 0.67 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    L6208PD - DMOS-Treiber für bipolaren Schrittmotor, 8-52 V, 2,8 A, PowerSO-
    Der L6208 ist ein vollintegrierter DMOS-Motortreiber mit Überstromschutzeinrichtung, realisiert in BCD-Technologie, die isolierte DMOS-Leistungstransistoren mit CMOS und bipolaren Schaltungen auf demselben Chip kombiniert. Der Chip bietet alle nötigen Funktionen, um einen zweiphasigen bipolaren Schrittmotor anzusteuern:• Versorgungsspannung von 8-52 V• 5,6 A Spitzenstrom• RDSon 0,3 Ohm bei 25 °C• bis zu 100 kHZ Schaltfrequenz• nicht-dissipativer Übersstromschutz• Auswahl zwischen schnellen/langsamen Abklingmudus• mit schneller Abklingzeit quasi synchrone Gleichrichtung• zwei unabhängige Offcycle-Controller• Dekodierungslogik für Schrittmotor (Voll- und Halbschritt)• Kreuzleitungsschutz• thermischer Überlastschutz• Unterspannungsschutz• integrierte Schnellfrequenz-FreilaufdiodenTypische Anwendung• Bipolar-Schrittmotoren
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 9.25 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    IRF7201PBF - MOSFET N-Kanal 30 V, 7,3 A, Rdson 0,03 Ohm, SO8
    HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe modifiziert, um die thermischen Eigenschaften und die Multi-Die-Fähigkeit zu verbessern, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Bausteine in einer Anwendung mit drastisch reduziertem Platinenplatz eingesetzt werden. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. In einer typischen Anwendung zur Leiterplattenmontage ist eine Verlustleistung von mehr als 0,8 W möglich.Merkmale:• Generation V-Technologie• Ultra-niedriger On-Widerstand• N-Kanal-MOSFET• Oberflächenmontage• Verfügbar als Tape & Reel• Dynamische dv/dt Bewertung• Schnelles Umschalten• Bleifrei
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 0.59 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    MAX8643ETG+ - Step-Down-Regler, Adj, 3A, 2,35-3,6Vi, TQFN24
    FeaturesInternal 37mO RDSON MOSFETsContinuous 3A Output Current±1% Output Accuracy Over Load, Line, and TemperatureOperates from 2.35V to 3.6V SupplyAdjustable Output from 0.6V to (0.9 x VIN)Soft-Start Reduces Inrush Supply Current500kHz to 2MHz Adjustable Switching FrequencyCompatible with Ceramic, Polymer, and Electrolytic Output CapacitorsVID-Selectable Output Voltages 0.6, 0.7, 0.8, 1.0, 1.2, 1.5, 1.8, 2.0, and 2.5VFully Protected Against Overcurrent and OvertemperatureSink/Source Current in DDR ApplicationLead-Free, 24-Pin, 4mm x 4mmb Thin QFN PackageApplicationsPOLsASIC/CPU/DSP Core and I/O VoltagesDDR Power SuppliesBase-Station Power SuppliesTelecom and Networking Power SuppliesRAID Control Power Supplies
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 6.01 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    TMC260C-PA - 2-Phasen-Schrittmotoren-Controller/Treiber 40 Vout/2 Aout, TQFP-
    TMC260C Hocheffiziente Schrittschalttreiber für Zwei-Phasen-Motoren mit modernsten Features.Kompatibles Upgrade zum TMC260A. BESCHREIBUNGDer TMC260 bietet eine integrierte Motortreiberlösung für Laborautomatisierung, 3D-Druck, Scanner und andere automatisierte Anwendungen. Der Baustein verfügt über einen integrierten Mikroschritt-Indexer, die sensorlose StallGuard2™-Technologie und die sensorlose lastabhängige Stromregelung CoolStep™ und ist für den Antrieb eines bipolaren Schrittmotors vorgesehen. Der Ausgangstreiberblock besteht aus TrenchFET-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem RDSon, die als Voll-H-Brücken konfiguriert sind, um die Motorwicklungen anzutreiben. Der TMC260 ist in der Lage, bis zu 2A Strom von jedem Ausgang zu treiben (mit entsprechender Kühlung). Der TMC260 ist für eine Versorgungsspannung von 9...40V ausgelegt. Der Baustein verfügt über eine SPI-Schnittstelle zur Konfiguration und Diagnose sowie eine Schritt- und Richtungsschnittstelle.MERKMALE UND VORTEILE• Antriebsleistung: bis zu 2A Motorstrom• Höchste Spannung : bis zu 60V DC (TMC261) oder 40V DC (TMC260)• Höchste Auflösung : bis zu 256 Mikroschritte pro Vollschritt• Kompakte Größe : 10x10mm QFP-44-Gehäuse• Geringe Verlustleistung : niedriger RDSON & synchrone Gleichrichtung• EMI-optimiert : programmierbare Flanke, keine Ladungspumpe• Schutz & Diagnose : Kurzschluss gegen GND, Übertemperatur & Unterspannung, Überstrom und Kurzschluss gegen VS (nur bei C-Typen)• StallGuard2™ : hochpräzise sensorlose Motorlasterkennung• CoolStep™ : lastabhängige Stromregelung spart bis zu 75%• MicroPlyer™ : 256 Mikroschritte Glattheit mit 1/16 Schritteingang• SpreadCycle™ : hochpräziser Chopper für beste Stromsinusform und Nulldurchgang• Verbesserter Silent Motor : Betrieb (nur -C-Typen)• Stand Alone : Option (nur -C-Typen)ANWENDUNGEN• Textil, Nähmaschinen• Fabrik-Automatisierung• Labor-Automatisierung• Flüssigkeitshandhabung• Medizintechnik• Büroautomation• Drucker und Scanner• CCTV, Sicherheit• ATM, Cash-Recycler• POS• Pumpen und Ventile• Heliostat-Steuerung• CNC-Maschinen
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 9.70 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    STP13N80K5 - MOSFET N-Kanal + Z-Diode, 800 V, 12 A, Rdson 0,37 Ohm, TO220
    N-Kanal 800 V, 0,37 O typ., 12 A MDmesh™ K5 Leistungs-MOSFETs in D²PAK, TO-220FP, TO-220 und TO-247Beschreibung:Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden unter Verwendung der MDmesh™ K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Reduzierung des Durchlasswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.Merkmale:• Branchenweit niedrigste RDS(on)x-Fläche• Bester FoM der Industrie (Zahl der Verdienste)• Ultra-niedrige Gate-Ladung• 100% lawinengeprüft• Zener-geschütztAnwendungen:• Schalt-Anwendungen
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.97 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    UJ3C120040K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200 V, 65 A, Rdson 0,035 Ohm, TO-247-3L
    1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 35mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 32.10 EUR excl. shipping
  • Thumbnail
    UJ3C120150K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200 V, 18 A, Rdson 0,15 Ohm, TO-247-3L
    1200V SiC-MOSFET-Kaskode 150mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 150mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 11.94 EUR excl. shipping

Similar searches: