• 

  IKA15N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 14A, 33,3W, TO-220-Fullpak

  IKA15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 1.88 EUR excl. shipping
• 

  IKA15N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 14A, 33,3W, TO-220-Fullpak

  IKA15N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 1.93 EUR excl. shipping
• 

  IRFB 4229 - MOSFET, N-CH, 250V, 46A, 330W, TO-220-5-Fullpak

  No description.

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 4.20 EUR excl. shipping
• 

  IRFI 4212H-117 - MOSFET, P-CH, 100V, 11A, 18W, TO-220-5-Fullpak

  No description.

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 1.15 EUR excl. shipping
• 

  IRFI840GPBF - MOSFET N-Kanal, 500 V, 4,6 A, Rds(on) 0,85 Ohm, TO220-Fullpak

  Power MOSFETFEATURES• Isolated Package• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, f = 60 Hz)• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm• Dynamic dV/dt Rating• Low Thermal Resistance• Lead (Pb)-free Available

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 2.15 EUR excl. shipping
• 

  IRFI640GPBF - MOSFET N-Kanal, 200 V, 9,8 A, Rds(on) 0,18 Ohm, TO-220-Fullpak

  Power MOSFETFEATURES• Isolated Package• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm• Dynamic dV/dt Rating• Low Thermal Resistance• Lead (Pb)-free Available

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 1.90 EUR excl. shipping
• 

  IRFI740GPBF - MOSFET N-Kanal, 400 V, 5,4 A, Rds(on) 0,55 Ohm, TO-220-Fullpak

  Power MOSFETFEATURES• Isolated package• High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)• Sink to lead creepage distance = 4.8 mm• Dynamic dV/dt rating• Low thermal resistance• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 1.51 EUR excl. shipping
• 

  IRFIB7N50APBF - MOSFET N-Kanal, 500 V, 6,6 A, Rds(on) 0,52 Ohm, TO-220-Fullpak

  Power MOSFETFEATURES• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current• Effective Coss Specified• Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS• Switch Mode Power Supply (SMPS)• Uninterruptible Power Supply• High Speed Power Switching• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, f = 60 Hz)TYPICAL SMPS TOPOLOGIES• Two Transistor Forward• Half and Full Bridge Convertors• Power Factor Correction Boost

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 1.40 EUR excl. shipping
• 

  IRFB 4020 - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 18 A, RDS(on) 0,08 Ohm, TO-220-Fullpak

  IRFB4020PbF, Digitaler Audio-MOSFetBeschreibungen:Dieser Digital-Audio-MOSFET ist speziell für Class-D-Audioverstärkeranwendungen konzipiert. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus wurden Gate-Ladung, Body-Diode-Reverse-Recovery und interner Gate-Widerstand optimiert, um wichtige Leistungsfaktoren von Class-D-Audioverstärkern wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Weitere Merkmale dieses MOSFETs sind eine Sperrschichttemperatur von 175°C und die Fähigkeit zur wiederholten Avalanche. Diese Eigenschaften machen diesen MOSFET zu einem hocheffizienten, robusten und zuverlässigen Bauelement für ClassD-Audioverstärkeranwendungen.Merkmale:• Für Class-D-Audioverstärkeranwendungen optimierte Schlüsselparameter• Niedriger RDSON für verbesserte Effizienz• Niedrige QG- und QSW-Werte für einen besseren Klirrfaktor und einen höheren Wirkungsgrad• Niedriger QRR für besseren Klirrfaktor und geringere EMI• 175°C Sperrschichtbetriebstemperatur für Robustheit• Kann bis zu 300 W pro Kanal an eine 8-O-Last in einer Halbbrücken-Konfiguration liefern

  • Shop: reichelt elektronik
  • Price: 1.90 EUR excl. shipping

---

---