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    DS 1220 AD-150 - Nichtflüchtiger SRAM, 16Kb, EDIL-24
    BESCHREIBUNGDie 16k nichtflüchtigen SRAMs DS1220AB und DS1220AD sind 16.384-Bit, vollstatische, nichtflüchtige SRAMs, organisiert als 2048 Wörter x 8 Bit. Jedes NV SRAM verfügt über eine in sich geschlossene Lithium-Energiequelle und eine Steuerschaltung, die VCC ständig auf eine außerhalb der Toleranz liegende Beeinträchtigung überwacht. Im Bedarfsfall wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet und der Schreibschutz unbedingt aktiviert, um Datenverluste zu vermeiden. Die NV-SRAMs können anstelle von bestehenden 2k x 8 SRAMs verwendet werden, die direkt dem beliebten byteweiten 24-Pin-DIP-Standard entsprechen. Die Pinnings entsprechen auch der Belegung des 2716 EPROM und des 2816 EEPROMs, was eine direkte Substitution bei gleichzeitiger Leistungssteigerung ermöglicht. Es gibt keine Begrenzung der Anzahl der ausführbaren Schreibzyklen und es ist keine zusätzliche Trägerschaltung für die Mikroprozessor-Schnittstellen erforderlich.FEATURESMindestens 10 Jahre Datenspeicherung ohne externe StromversorgungDaten werden bei Stromausfall automatisch geschützt.Ersetzt direkt 2k x 8 flüchtige statische RAMs oder EEPROMs.Unbegrenzte SchreibzyklenNiedrigleistungs-CMOSJEDEC Standard 24-Pin DIP GehäuseLese- und Schreibzugriffszeiten von 100 nsDie Lithium-Energiequelle wird elektrisch abgeschaltet, um die Frische bis zum ersten Einschalten der Stromversorgung zu erhalten.Voller ±10% VCC-Arbeitsbereich (DS1220AD)Optional ±5% VCC-Arbeitsbereich (DS1220AB)Optionaler industrieller Temperaturbereich von-40°C bis +85°C,
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    Rams Hill - a Bronze Age Defended Enclosure and its Landscape
    Rams Hill - a Bronze Age Defended Enclosure and its Landscape ab 181.99 € als Taschenbuch: . Aus dem Bereich: Bücher, Taschenbücher, Wirtschaft & Soziales,
    • Shop: hugendubel
    • Price: 181.99 EUR excl. shipping
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    IS61C25616AL-10K - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 10ns, SOJ-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 256kx16 10ns SOJ44(I)Beschreibung:Die ISSI IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Verfügbar im 44-poligen SOJ-Gehäuse und 44-poliger TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
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    • Price: 4.93 EUR excl. shipping
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    IS61WV25616BLL - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 256kx16 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Bei den ISSI IS61WV25616Axx/Bxx handelt es sich um statische 4.194.304-Bit-Hochgeschwindigkeits-RAMs, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61WV6416DAxx/DBxx werden im JEDEC-Standardgehäuse mit 44-poligem TSOP Typ II, 44-poligem 400-mil SOJ und 48-poligem Mini-BGA (6mm x 8mm) gefertigt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns- Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)- Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Datenkontrolle für obere und untere Bytes
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    • Price: 3.93 EUR excl. shipping
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    IS61WV6416DBLL - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 64kx16 10ns TSOP44(II) Beschreibung:Die ISSI IS61WV6416DAxx/DBxx sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 1.048.576 Bit, die als 65.536 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61WV6416DAxx/DBxx werden im JEDEC-Standardgehäuse mit 44-poligem TSOP Typ II, 44-poligem 400-mil SOJ und 48-poligem Mini-BGA (6mm x 8mm) gefertigt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 135 mW (typisch)• Niedrige Standby-Leistung: 12 µW (typisch) CMOS-Standby• Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Drei Zustandsausgänge• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil• Bleifrei verfügbar• Datenkontrolle für obere und untere Bytes
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    • Price: 3.20 EUR excl. shipping
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    IS61C25616AL-10T - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 10ns, TSOP-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 256kx16 10ns TSOP44(II)Beschreibung:Die ISSI IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Verfügbar im 44-poligen SOJ-Gehäuse und 44-poliger TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
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    • Price: 7.15 EUR excl. shipping
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    IS61C5128AL-10KL - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 10ns, SO-36J
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 512kx8 10ns SOJ-36Beschreibung:Die ISSI IS61C5128AL/AS und IS64C5128AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 524.288 Worte mal 8 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C5128AL/AS sind in den JEDEC-Standard-Gehäusen 36-Pin SOJ (400-mil), 32-Pin sTSOP-I, 32-Pin SOP, 44-Pin TSOP-II und 32-Pin TSOP-II untergebracht.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Erhältlich in einem 36-poligen SOJ (400-mil)-Gehäuse und einem 44-poligen TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 4.02 EUR excl. shipping
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    IS61C5128AL-10TL - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 10ns, TSOP-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 512kx8 10ns TSOP-44Beschreibung:Die ISSI IS61C5128AL/AS und IS64C5128AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 524.288 Worte mal 8 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C5128AL/AS sind in den JEDEC-Standard-Gehäusen 36-Pin SOJ (400-mil), 32-Pin sTSOP-I, 32-Pin SOP, 44-Pin TSOP-II und 32-Pin TSOP-II untergebracht.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Erhältlich in einem 36-poligen SOJ (400-mil)-Gehäuse und einem 44-poligen TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
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    • Price: 5.30 EUR excl. shipping
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    PCF 8583 P - Uhr/Kalender-IC mit 240 x 8-Bit-RAM, 2,5 ... 6V, DIP-8
    PCF8583Uhr und Kalender mit 240 x 8-Bit-RAMBeschreibung:Der PCF8583 ist ein Uhren- und Kalenderchip, der auf einem 2048 Bit großen statischen CMOS1-RAM basiert, das als 256 Worte à 8 Bit organisiert ist. Adressen und Daten werden seriell über den zweizeiligen bidirektionalen I2C-Bus übertragen. Das eingebaute Wortadressregister wird nach jedem geschriebenen oder gelesenen Datenbyte automatisch inkrementiert. Der Adress-Pin A0 dient zur Programmierung der Hardware-Adresse, so dass der Anschluss von zwei Geräten an den Bus ohne zusätzliche Hardware möglich ist. Die eingebaute 32,768-kHz-Oszillatorschaltung und die ersten 8 Bytes des RAMs werden für die Uhr-, Kalender- und Zählerfunktionen verwendet. Die nächsten 8 Bytes können als Alarmregister programmiert oder als freier RAM-Speicher verwendet werden. Die restlichen 240 Bytes sind freie RAM-Speicherplätze.Merkmale und Vorteile• I2C-Bus-Schnittstelle Betriebsspannung: 2,5 V bis 6 V• Clock-Betriebsspannung 1,0 V bis 6,0 V bei 0 °C bis +70 °C• 240 × 8-Bit Low-Voltage-RAM• Datenhaltespannung: 1,0 V bis 6,0 V• Betriebsstrom (bei fSCL = 0 Hz): max. 50 µA• Uhrfunktion mit Vierjahreskalender• Universal-Timer mit Alarm und Überlaufanzeige• 24-Stunden- oder 12-Stunden-Format• 32,768 kHz oder 50 Hz Zeitbasis• Serieller Ein- und Ausgangsbus (I2C-Bus)• Automatische Inkrementierung der Wortadresse• Programmierbare Alarm-, Timer- und Interruptfunktion• Slave-Adressen: A1h oder A3h zum Lesen, A0h oder A2h zum Schreiben
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    • Price: 5.22 EUR excl. shipping
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    PCF 8583 T - Uhr/Kalender-IC mit 240 x 8-Bit-RAM, 2,5 ... 6V, SO-8
    PCF8583Uhr und Kalender mit 240 x 8-Bit-RAMBeschreibung:Der PCF8583 ist ein Uhren- und Kalenderchip, der auf einem 2048 Bit großen statischen CMOS1-RAM basiert, das als 256 Worte à 8 Bit organisiert ist. Adressen und Daten werden seriell über den zweizeiligen bidirektionalen I2C-Bus übertragen. Das eingebaute Wortadressregister wird nach jedem geschriebenen oder gelesenen Datenbyte automatisch inkrementiert. Der Adress-Pin A0 dient zur Programmierung der Hardware-Adresse, so dass der Anschluss von zwei Geräten an den Bus ohne zusätzliche Hardware möglich ist. Die eingebaute 32,768-kHz-Oszillatorschaltung und die ersten 8 Bytes des RAMs werden für die Uhr-, Kalender- und Zählerfunktionen verwendet. Die nächsten 8 Bytes können als Alarmregister programmiert oder als freier RAM-Speicher verwendet werden. Die restlichen 240 Bytes sind freie RAM-Speicherplätze.Merkmale und Vorteile• I2C-Bus-Schnittstelle Betriebsspannung: 2,5 V bis 6 V• Clock-Betriebsspannung 1,0 V bis 6,0 V bei 0 °C bis +70 °C• 240 × 8-Bit Low-Voltage-RAM• Datenhaltespannung: 1,0 V bis 6,0 V• Betriebsstrom (bei fSCL = 0 Hz): max. 50 µA• Uhrfunktion mit Vierjahreskalender• Universal-Timer mit Alarm und Überlaufanzeige• 24-Stunden- oder 12-Stunden-Format• 32,768 kHz oder 50 Hz Zeitbasis• Serieller Ein- und Ausgangsbus (I2C-Bus)• Automatische Inkrementierung der Wortadresse• Programmierbare Alarm-, Timer- und Interruptfunktion• Slave-Adressen: A1h oder A3h zum Lesen, A0h oder A2h zum Schreiben
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