38 Results for : 1210f

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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 0,1 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 40 • fL : 25 MHz• SRF min: 375 MHz• DCR typ.: 0,15 Ohm• I DC : 1131 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 1,5 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 30 • fL : 1 MHz• SRF min: 200 MHz• DCR typ.: 0,34 Ohm• I DC : 535 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 100 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 22 • fL : 0,1 MHz• SRF min: 4,5 MHz• DCR typ.: 4,7 Ohm• I DC : 145 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 10 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 27 • fL : 1 MHz• SRF min: 15 MHz• DCR typ.: 0,98 Ohm• I DC : 320 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 15 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 27 • fL : 0,1 MHz• SRF min: 12 MHz• DCR typ.: 1,25 Ohm• I DC : 280 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 2,2 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 30 • fL : 1 MHz• SRF min: 150 MHz• DCR typ.: 0,43 Ohm• I DC : 480 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 220 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 25• fL : 0,1 MHz• SRF min: 3,3 MHz• DCR typ.: 7,5 Ohm• I DC : 115 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 22 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 27 • fL : 0,1 MHz• SRF min: 10 MHz• DCR typ.: 1,45 Ohm• I DC : 260 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 3,3 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 30 • fL : 1 MHz• SRF min: 90 MHz• DCR typ.: 0,55 Ohm• I DC : 425 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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    • Design: 1210F• Typ: Chip Induktivitäten für RF Applikationen• Induktivität: 330 µH • Toleranz: 10%• Güte Q min: 23• fL : 0,1 MHz• SRF min: 2,8 MHz• DCR typ.: 14,1 Ohm• I DC : 85 mA• Abmessungen (LxWxH): 3,8 x 3,0 x 2,4 mm
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