25 Results for : abwahl

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    Lenhof:Die Abwahl des Bürgermeisters
    Erscheinungsdatum: 29.05.2013, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Die Abwahl des Bürgermeisters, Titelzusatz: Ein Beispiel direkter Demokratie auf kommunaler Ebene, Autor: Lenhof, Annemarie, Verlag: Lang, Peter GmbH // Peter Lang GmbH, Internationaler Verlag der Wissenschaften, Sprache: Deutsch, Schlagworte: Politik // Politikwissenschaft // Politologie // Jurisprudenz // Recht // Rechtswissenschaft // Staatsangehörigkeit // Verfassungsrecht // Kommunalrecht // Bildung // Politische Bildung // Politikunterricht // Politischer Unterricht // Sozialkunde // Politische Strukturen und Prozesse // allgemein // Deutschland // Regierungsbefugnisse // Politische Bildung und Zivilgesellschaft, Rubrik: Recht // Sonstiges, Seiten: 223, Reihe: Europäische Hochschulschriften (Reihe 02): Rechtswissenschaft / Law / Droit (Nr. 5464), Gewicht: 302 gr, Verkäufer: averdo
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    Die Abwahl des Bürgermeisters
    Die Abwahl des Bürgermeisters ab 51.8 € als Taschenbuch: . Aus dem Bereich: Bücher, Politik & Gesellschaft,
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    CY7C1019DV33-10V - High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 3,3 V, 10ns, SOJ-32
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 128kx8 10ns SOJ-32Funktionale BeschreibungDer CY7C1019DV33 ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 131.072 Wörter zu 8 Bit organisiert ist. Eine einfache Speichererweiterung wird durch eine aktive LOW-Chip-Freigabe (CE), eine aktive LOW-Ausgangsfreigabe (OE) und Treiber mit drei Zuständen ermöglicht. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Das Schreiben in den Baustein erfolgt über die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Das Lesen aus dem Gerät erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW genommen werden, während Write Enable (WE) HIGH erzwungen wird. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den I/O-Pins. Die acht Eingangs-/Ausgangs-Pins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW, und WE LOW).Der CY7C1019DV33 ist in Pb-freiem, 32-poligem, 400 Mil breitem, vergossenem SOJ-Gehäuse, erhältlich.Merkmale• Pin- und funktionskompatibel mit CY7C1019CV33• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 60 mA @ 10 ns• Niedrige CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2,0 V Datenspeicherung• Automatische Abschaltung bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung• Zentrale Stromversorgung/Massebelegung• Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen• Erhältlich in Pb-freien, 32-poligen, 400 Mil breiten, geformten SOJ-Gehäusen
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    Machtverlust und Abwahl Helmut Kohls
    Machtverlust und Abwahl Helmut Kohls ab 12.99 € als epub eBook: . Aus dem Bereich: eBooks, Fachthemen & Wissenschaft, Politikwissenschaft,
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    Besch, Werner: Deutscher Bibelwortschatz in der frühen Neuzeit
    Erscheinungsdatum: 06/2008, Medium: Buch, Einband: Gebunden, Titel: Deutscher Bibelwortschatz in der frühen Neuzeit, Titelzusatz: Auswahl - Abwahl - Veralten, Autor: Besch, Werner, Verlag: Lang, Peter GmbH // Peter Lang GmbH, Internationaler Verlag der Wissenschaften, Sprache: Deutsch, Schlagworte: Bibel // Geschichte // Archäologie // Kunst // Literatur // Philosophie // Sprache // Sprachphilosophie // Bedeutung // semantisch // Bedeutungslehre // Semantik // Lexikografie // Lexikographie // Auslegung // Exegese // Schriftauslegung // Fremdsprachenunterricht // Literaturwissenschaft // Deutsch // Historische und vergleichende Sprachwissenschaft // Diskursanalyse // Stilistik // Kritik und Exegese heiliger Texte // Sprache: Geschichte und Allgemeines // Heilige Schriften und geheiligte Schriften // Christentum: Heilige Texte und geheiligte Schriften // Fremdsprachenerwerb: Grammatik // Wortschatz // Aussprache // Religion // allgemein, Rubrik: Sprachwissenschaft // Deutschsprachige, Seiten: 278, Abbildungen: zahlreiche Abbildungen und Tabellen, Herkunft: SCHWEIZ (CH), Gewicht: 452 gr, Verkäufer: averdo
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    Die Abwahl von Ausschussvorsitzenden im Bundestag
    Die Abwahl von Ausschussvorsitzenden im Bundestag ab 12.99 € als pdf eBook: 1. Auflage. Aus dem Bereich: eBooks, Belletristik, Erzählungen,
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    CY7C1021D-10ZSXI - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 5 V, 10ns, TSOP-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 64kx16 10ns TSOP44(II)Funktionale Beschreibung:Der CY7C1021D ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 65.536 Worte mit 16 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Die Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH), Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Schreiben auf das Gerät unter Verwendung der Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bis I/O15) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Lesen Sie aus dem Gerät, indem Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW nehmen, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten von der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher an I/O8 bis I/O15. Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle auf Seite 10. Der Baustein CY7C1021D eignet sich für den Anschluss an Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er eignet sich nicht für Prozessoren, die CMOS-I/P-Pegel benötigen.Merkmale:• Temperaturbereiche: Industriell: -40 °C bis 85 °C• Pin und Funktion kompatibel mit CY7C1021B• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 80 mA bei 10 ns• Niedrige CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2,0 V Datenspeicherung• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Unabhängige Kontrolle der oberen und unteren Bits• Erhältlich in Pb-freien 44-poligen 400-Mil Wide Molded SOJ und44-poligem TSOP-II-Gehäuse
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    CY7C1021DV33-10V - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,3 V, 10ns, SOJ-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 64kx16 10ns SOJ-44Funktionale BeschreibungDer CY7C1021DV33 ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 65.536 Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Das Schreiben in den Baustein erfolgt, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) auf LOW gesetzt werden. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bis I/O15) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Das Lesen aus dem Baustein erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW genommen werden, während Write Enable (WE) HIGH erzwungen wird. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten von der durch die Adresspins angegebenen Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher an I/O8 bis I/O15. Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle am Ende dieses Datenblatts. Die Eingangs-/Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn das Gerät abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW, und WE LOW).Der CY7C1021DV33 ist in Pb-freien, 44-poligen, 400 Millimeter breiten, vergossenen SOJ-, 44-poligen TSOP II- und 48-Kugel-VFBGA-Gehäusen erhältlich.Merkmale• Temperaturbereiche - Industriell: -40 °C bis 85 °C - Automobil-A: -40 °C bis 85 °C• Pin- und funktionskompatibel mit CY7C1021CV33• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 60 mA @ 10 ns• Geringe CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2.0 V Datenspeicherung• Automatische Abschaltung bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung• Unabhängige Kontrolle der oberen und unteren Bits• Bleifrei erhältlich in 44-poligem 400 Mil breit gepresstem SOJ, 44-poligem TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse
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    CY7C1021DV33-10Z - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44
    Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 64kx16 10ns TSOP44(II)Funktionale BeschreibungDer CY7C1021DV33 ist ein hochleistungsfähiger statischer CMOS-RAM, der als 65.536 Wörter mit 16 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Das Schreiben in den Baustein erfolgt, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) auf LOW gesetzt werden. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, dann werden Daten von I/O-Pins (I/O8 bis I/O15) an die auf den Adresspins (A0 bis A15) angegebene Stelle geschrieben. Das Lesen aus dem Baustein erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW genommen werden, während Write Enable (WE) HIGH erzwungen wird. Wenn Byte Low Enable (BLE) LOW ist, erscheinen Daten von der durch die Adresspins angegebenen Speicherstelle auf I/O0 bis I/O7. Wenn Byte High Enable (BHE) LOW ist, erscheinen Daten aus dem Speicher an I/O8 bis I/O15. Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle am Ende dieses Datenblatts. Die Eingangs-/Ausgangspins (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn das Gerät abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH), BHE und BLE deaktiviert werden (BHE, BLE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW, und WE LOW).Der CY7C1021DV33 ist in Pb-freien, 44-poligen, 400 Millimeter breiten, vergossenen SOJ-, 44-poligen TSOP II- und 48-Kugel-VFBGA-Gehäusen erhältlich.Merkmale• Temperaturbereiche - Industriell: -40 °C bis 85 °C - Automobil-A: -40 °C bis 85 °C• Pin- und funktionskompatibel mit CY7C1021CV33• Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns• Niedrige Wirkleistung: Icc = 60 mA @ 10 ns• Geringe CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA• 2.0 V Datenspeicherung• Automatische Abschaltung bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung• Unabhängige Kontrolle der oberen und unteren Bits• Bleifrei erhältlich in 44-poligem 400 Mil breit gepresstem SOJ, 44-poligem TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse
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    CY62158ELL-45ZSX - SRAM, 8 Mb (1 M x 8), 5 V, 45ns, TSOP-44
    8-Mbit (1 M × 8) Static RAM, SRAM LLPow as 5V 1Mx8 45ns TSOP44(II)BeschreibungDas CY62158E MoBL® ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 1024K Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt außerdem über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch bei Abwahl (CE1 HIGH oder CE2 LOW) erheblich. Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie Chip Enables (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) Eingang LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A19) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enables (CE1 LOW und CE2 HIGH) und OE LOW, während Sie das WE HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW). Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle auf Seite 11. Der Baustein CY62158E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen. Merkmale• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns - Großer Spannungsbereich: 4,5 V-5,5 V• Ultra-niedrige Wirkleistung - Typischer Wirkstrom: 1,8 mA bei f = 1 MHz - Typischer Wirkstrom: 18 mA bei f = fmax• Extrem niedrige Standby-Leistung - Typischer Standby-Strom: 2 A - Maximaler Standby-Strom: 8 A• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen• Automatisches Ausschalten bei Abwahl• CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung• Wird im Pb-freien 44-poligen TSOP II-Paket angeboten
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