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Fu, M: Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires an
Erscheinungsdatum: 27.01.2019, Medium: Buch, Einband: Gebunden, Titel: Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors, Auflage: 2018, Autor: Fu, Mengqi, Verlag: Springer-Verlag GmbH // Springer Singapore, Sprache: Englisch, Schlagworte: Elektronik // Halbleiter // Leitung // physikalisch // Nanotechnologie // Technologie // Atomphysik // Kernphysik // Kern // Atomkern // Physik // Chemie // Technik // Werkstoffe // Berufe // Industrie // Fertigungstechnik // Materialprüfung // SCIENCE // Nanoscience // Nanowissenschaften // Andere Fertigungsverfahren // Schaltkreise und Komponenten // Bauteile // Elektronische Geräte und Materialien, Rubrik: Technik // Sonstiges, Seiten: 102, Abbildungen: 11 schwarz-weiße und 57 farbige Abbildungen, 70 farbige Tabellen, Bibliographie, Reihe: Springer Theses, Informationen: Book, Gewicht: 354 gr, Verkäufer: averdo- Shop: averdo
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Fu, M: Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires an
Erscheinungsdatum: 27.01.2019, Medium: Buch, Einband: Gebunden, Titel: Electrical Properties of Indium Arsenide Nanowires and Their Field-Effect Transistors, Auflage: 2018, Autor: Fu, Mengqi, Verlag: Springer-Verlag GmbH // Springer Singapore, Sprache: Englisch, Schlagworte: Elektronik // Halbleiter // Leitung // physikalisch // Nanotechnologie // Technologie // Atomphysik // Kernphysik // Kern // Atomkern // Physik // Chemie // Technik // Werkstoffe // Berufe // Industrie // Fertigungstechnik // Materialprüfung // SCIENCE // Nanoscience // Nanowissenschaften // Andere Fertigungsverfahren // Schaltkreise und Komponenten // Bauteile // Elektronische Geräte und Materialien, Rubrik: Technik // Sonstiges, Seiten: 102, Abbildungen: 11 schwarz-weiße und 57 farbige Abbildungen, 70 farbige Tabellen, Bibliographie, Reihe: Springer Theses, Informationen: Book, Gewicht: 328 gr, Verkäufer: averdo- Shop: averdo
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SMD-LED 0603 RT - SMD-LED 1608 (0603), rot, 12 mcd, 120°
Beschreibung:The High Efficiency Red source color devices are made withGallium Arsenide Phosphide on Gallium Phosphide OrangeLight Emitting Diode.Eigenschaften1,6 mm x 0,8 mm SMD-LED, 1,1 mm Dicke.Geringer Stromverbrauch.Weiter Betrachtungswinkel.Ideal für Hintergrundbeleuchtung und Anzeige.VE: 2000pcs / Rolle.Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: Stufe 3.RoHS-konform.- Shop: reichelt elektronik
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KBT L-113IDT - LED, rechteckig, 2x5 mm, bedrahtet, rot, 5 mcd, 110°
Rote Leuchtdiode aus Gallium Arsenide Phosphide auf Gallium Phosphide (GaAsP/GaP) mit eingefärbter diffuser Linse in einem eckigen Gehäuse.Merkmalegeringer Energieverbrauchlange Lebenszeitexzellente GleichmäßigkeitBauform: rechteckigTechnologie: GaPTechnische DatenHelligkeit: 3 .. 5 mcd (bei 10 mA)Wellenlänge: 625 nm (627 nmPeak)Vorwärtsspannung: 2,0 - 2,5 V- Shop: reichelt elektronik
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TA 20-11 SRT - Dot-Matrix-Display, 5x7, 53x38mm, superrot, CA
Description:The TA20-11SRWA (GaAlAs) is a 50mm 5 x 7 Dot Matrix Display with white diffused lens. The super bright red source device is made with gallium aluminium arsenide red light emitting diode.Features:2'' Matrix height5mm Dot sizeLow current operationHigh contrast and light outputStackable horizontallyEasy mounting on PC boards or socketsCategorized for luminous intensityMechanically ruggedGrey face, white dotCommon anode- Shop: reichelt elektronik
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Spruytte:MBE growth of Nitride-Arsenide
Erscheinungsdatum: 26.02.2015, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: MBE growth of Nitride-Arsenides for long wavelength opto-electronics, Titelzusatz: 1.3 um emission and absorption on GaAs substrates using GaInNAs. Optimization of material quality, Autor: Spruytte, Sylvia, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Technik // Sonstiges, Seiten: 112, Informationen: Paperback, Gewicht: 185 gr, Verkäufer: averdo- Shop: averdo
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Scaccabarozzi:Waveguides and Resonant C
Erscheinungsdatum: 28.11.2008, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Waveguides and Resonant Cavities for Non-linear Optical Applications, Titelzusatz: Design, Fabrication and Characterization of AluminumGallium Arsenide/Aluminum Oxide-based, Sub-micronDevices for All-optical Frequency Conversion, Autor: Scaccabarozzi, Luigi, Verlag: VDM Verlag Dr. Müller e.K., Sprache: Deutsch, Schlagworte: Physik, Rubrik: Physik // Astronomie, Sonstiges, Seiten: 176, Informationen: Paperback, Gewicht: 280 gr, Verkäufer: averdo- Shop: averdo
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KBT KP-2012SRC - LED, SMD 0805, rot, 80 mcd, 120°
KP-2012SRC , 2,0 x 1,25 mm SMD-Chip-LED-Lampe(GaAlAs)BESCHREIBUNGDie Super Red Source Color Geräte sind mit Gallium Aluminum Arsenide Diode erstellt.Elektrostatische Entladungen und Spannungsspitzen können die LEDs beschädigen. Es wird empfohlen, bei der Handhabung der LEDs ein Handgelenkband oder einen antielektrostatischen Handschuh zu verwenden. Alle Geräte, Ausrüstungen und Maschinen müssen elektrisch geerdet sein.EIGENSCHAFTEN• 2,0 mm x 1,25 mm SMD-LED, 1,1 mm Dicke• Geringe Leistungsaufnahme• Großer Abstrahlwinkel• Ideal für Hintergrundbeleuchtung und Anzeige• Verpackung: 2000 Stück / Rolle• RoHS-konformBESCHREIBUNGEN• Hintergrundbeleuchtung• Status-Anzeige• Haus- und intelligente Geräte• Wearable und tragbare Geräte• Anwendungen im Gesundheitswesen- Shop: reichelt elektronik
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GALLIUM ARSENIDE
GALLIUM ARSENIDE ab 160.49 € als gebundene Ausgabe: Auflage 1997. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Physik,- Shop: hugendubel
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Gallium Arsenide on Silicon Substrate
Gallium Arsenide on Silicon Substrate ab 92.49 € als Taschenbuch: . Aus dem Bereich: Bücher, Taschenbücher, Naturwissenschaft,- Shop: hugendubel
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