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  PT 204-6C EVL - Fototransistor, NPN, 400...1100nm, 70°, THT-3mm

  3mm-Fototransistor T-1 3mmBeschreibung:PT204-6C ist ein Hochgeschwindigkeits- und hochempfindlicher Silizium-NPN-Epitaxie-Planar-Fototransistor in einem 3 mm-Standardgehäuse. Aufgrund seines wasserklaren Epoxids ist das Bauelement empfindlich für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung.Merkmale:• Schnelle Reaktionszeit• Hohe Lichtempfindlichkeit• Pb frei• Das Produkt selbst bleibt innerhalb der RoHS-konformen Version.Anwendungen:• Angewandtes Infrarot-System• Drucker• Optoelektronischer Schalter• Kamera

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  PT 334-6C EVL - Fototransistor, NPN, 400...1100nm, 50°, THT-5mm

  5mm-Fototransistor T-1 3/4 5mmBeschreibung:PT334-6C ist ein Hochgeschwindigkeits- und hochempfindlicher Silizium-NPN-Epitaxie-Planar-Fototransistor in einem 5-mm-Standardgehäuse. Aufgrund seines wasserklaren Epoxids ist das Bauelement empfindlich für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung.Merkmale:• Schnelle Reaktionszeit• Hohe Lichtempfindlichkeit• Pb frei• Das Produkt selbst bleibt innerhalb der RoHS-konformen Version.Anwendungen:• Angewandtes Infrarot-System• Diskettenlaufwerk• Kamera

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  BPY 62/IV - Fototransistor, NPN, 400...1100nm, 16°, THT-TO-18

  Silizium-NPN-Fototransistor TO-18Merkmale:• Spektralbereich der Empfindlichkeit: (typ) 400 ... 1100 nm• Hermetisch versiegelte Metalldosenverpackung (TO-18), geeignet bis 125 °C• Basisanschluss• Hohe Lichtempfindlichkeit• Verfügbar in GruppenAnwendungen:• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)

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  SFH 300-3/4 - Fototransistor, NPN, 450...1100nm, 50°, THT-5mm

  NPN-Fototransistor aus SiliziumMerkmale:• Spektraler Bereich der Empfindlichkeit: (typ) 450 ... 1100 nm• Packung: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxid• Spezial: Hohe Linearität• Verfügbar in GruppenAnwendungen• Foto-Unterbrecher• Industrielle Elektronik• Für Steuer- und Antriebsschaltungen• Computergesteuerte Blitze

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  SFH 320 - Fototransistor, NPN, 450...1150nm, 120°, PLCC-2

  NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED®-GehäuseBesondere Merkmale:• Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:450 nm ... 1150 nm (SFH 320), 750 nm ... 1120 nm (SFH 320 FA)• Gehäuse: TOPLED• Besonderheit: Hohe Linearität• P-LCC-2 Gehäuse• Gruppiert lieferbar• Für alle Lötverfahren geeignetAnwendungen• Miniatur Lichtschranken• Industrieelektronik• Messen / Steuern / Regeln

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  SFH 320 FA - Fototransistor, NPN, 750...1120nm, 120°, PLCC-2

  NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED®-GehäuseBesondere Merkmale:• Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:450 nm ... 1150 nm (SFH 320), 750 nm ... 1120 nm (SFH 320 FA)• Gehäuse: TOPLED• Besonderheit: Hohe Linearität• P-LCC-2 Gehäuse• Gruppiert lieferbar• Für alle Lötverfahren geeignetAnwendungen• Miniatur Lichtschranken• Industrieelektronik• Messen / Steuern / Regeln

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  BPX 38-3 OSO - Fototransistor, NPN, 450...1120nm, 80°, THT-TO-18

  Metallgehäuse® TO18, NPN-Fototransistor aus SiliziumMerkmale:• Spektralbereich der Empfindlichkeit: (typ) 450 ...1120 nm• Hermetisch versiegelte Metalldosenverpackung (TO-18), • Basisanschluss• Hohe Linearität• Geeignet bis zu 125 °CAnwendungen:• Foto-Unterbrecher• Industrielle Elektronik• Für Steuer- und Antriebsschaltungen

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  BPY 62-3/4 OSO - Fototransistor, NPN, 400...1100nm, 16°, THT-TO-18

  Silizium-NPN-Fototransistor TO-18Merkmale:• Spektralbereich der Empfindlichkeit: (typ) 400 ... 1100 nm• Hermetisch versiegelte Metalldosenverpackung (TO-18), geeignet bis 125 °C• Basisanschluss• Hohe Lichtempfindlichkeit• Verfügbar in GruppenAnwendungen:• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)

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  LPT 80 - Fototransistor, NPN, 450...1100nm, 70°, THT-Side-View

  LPT 80 A , Radialer NPN-Fototransistor aus Silizium, Side-ViewMerkmale:• Gehäuse: klares Epoxidharz• ESD: 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)• Spektralbereich der Empfindlichkeit: (typ) 450 ... 1100 nm• Hohe Lichtempfindlichkeit• Gleiches Gehäuse wie der IR-Sender IRL 81 AApplikationen:• Elektronische Ausrüstung• Highbay Industrial• Industrielle Automatisierung (Maschinensteuerungen, Lichtschranken, Vision-Steuerungen)• Weiße Ware

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  BPV 11 TEL - Fototransistor, NPN, 450...1080nm, 30°, THT-5mm

  5-mm-Silizium-NPN-FototransistorBeschreibung:BPV11 ist ein Silizium-NPN-Fototransistor mit hoher Strahlungsempfindlichkeit in klarem, T-1¾-Plastikgehäuse mit Basisanschluss. Er ist empfindlich für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung.Merkmale:• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuse-:T-1¾• Abmessungen (in mm):Ø 5• Hohe Lichtempfindlichkeit• Hohe Strahlungsempfindlichkeit• Geeignet für sichtbare und nahe Infrarotstrahlung• Schnelle Reaktionszeiten• Winkel der halben Empfindlichkeit: ? = ± 15°Anwendungen:• Detektor in elektronischen Steuer- und Antriebsschaltungen

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