28 Results for : nennwerten
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Kabelgebundene Windensteuerung, 12-V-Druckknopf-Stil, manuelles Steuerungsset für Winde 1500 lbs-5000 lbs
Kompatibel mit den meisten 12-V-Windenanwendungen mit Nennwerten von 1500 lb/2000 lb/3500 lb/4000 lb/5000 lb. Der Controller unterstützt Vorwärts-/Rückwärtssteuerung, Drucktastenstil für eine einfache Bedienung. Aus hochwertigem Kunststoffmaterial, hochtemperaturbeständig und schmelzbeständig, strenge Qualitätsstandards, längere Lebensdauer. Kabelgebundener Windensteuergriff mit 8,2 Fuß langem Kabel bietet eine zuverlässigere Steuerung als andere drahtlose Optionen. Sie können die Handfernbedienung zu Fahrzeugen mit Originalwinde hinzufügen, bequem zu bedienen. Spezifikation: Artikeltyp: Kabelgebundener Windensteuergriff Material: Kunststoff Farbe gelb Kabellänge: Ca. 8,2 Fuß Controller-Funktion: vorwärts/rückwärts Schalterbetätigungsstil: Drucktaste Paketliste: 1 x kabelgebundener Windensteuergriff- Shop: ManoMano
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UJ3C065030B3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 66A, Rdson 0,027R, D2PAK-3L
650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mUJ3C065030B3S D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mUJ3C065030B3S- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung- Shop: reichelt elektronik
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UJ3C065030K3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 85A, Rdson 0,027R , TO-247-3L
650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung- Shop: reichelt elektronik
- Price: 25.72 EUR excl. shipping
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UJ3C065030T3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 85A, Rdson 0,027R , TO-220-3L
650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung- Shop: reichelt elektronik
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UJ3C065080B3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 25A, Rdson 0,08R , D2PAK-3L
650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung- Shop: reichelt elektronik
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UJ3C120040K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200 V, 65 A, Rdson 0,035 Ohm, TO-247-3L
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 35mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung- Shop: reichelt elektronik
- Price: 32.10 EUR excl. shipping
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UJ3C065080T3S - SiC-Kaskode-FET, 650V, 31A, Rdson 0,08R , TO-220-3L
650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung- Shop: reichelt elektronik
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UJ3C120150K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200 V, 18 A, Rdson 0,15 Ohm, TO-247-3L
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 150mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 150mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung- Shop: reichelt elektronik
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UJ3C120080K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200 V, 33 A, Rdson 0,08 Ohm , TO-247-3L
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung- Shop: reichelt elektronik
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UNO 24V 150W - Schaltnetzteil, Hutschiene, 150 W, 24 V, 6,25 A
Primär getaktete UNO Stromversorgung zur Tragschienenmontage, Eingang: 1-phasig, Ausgang: 24 V DC / 150 WUNO POWER Stromversorgungen mit BasisfunktionalitätDie kompakten Stromversorgungen UNO POWER sind durch ihre hohe Leistungsdichte besonders in kompakten Schaltkästen die perfekte Lösung für Lasten bis 150 W. Die Netzteile sind in unterschiedlichen Leistungsklassen und Baubreiten verfügbar. Mit ihrem hohen Wirkungsgrad und den geringen Leerlaufverlusten erzielen sie eine hohe Energieeffizienz.• flexible Montage durch einfaches Aufrasten auf die Tragschiene• maximale Energieeffizienz durch Wirkungsgrade über 90 % und extrem niedrige Leerlauf-Verluste unter 0,3 WEigenschaften:Eingangsspannung: 85 V AC - 264 V AC Einschaltstromstoß: < 50 A (typisch) Ausgangsspannung: 24 V DCAusgangsstrom: 6,25 AParallelbetrieb: jaSerienbetrieb: neinRestwelligkeit: < 30 mVSS (bei Nennwerten)Ausgangsleistung: 100 WWirkungsgrad: > 94%Schutzart: IP20Maße (BxHxT): 37 x 130 x 125 mmGewicht: 500 g- Shop: reichelt elektronik
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