62 Results for : rdson
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NX2301P NXP - MOSFET, P-CH, 20V, 2A, RDSon 0,1R , SOT-23
20 V, 2 A, P-Kanal-Trench-MOSFETBeschreibung:P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device) unter Verwendung der Trench-MOSFET-Technologie.Merkmale und Vorteile:• 1,8 V RDSon ausgelegt für Niederspannungs-Gate-Antrieb• Sehr schnelles Schalten• Trench-MOSFET-Technologie• AEC-Q101-qualifiziertAnwendungen:• Relaistreiber• Hochgeschwindigkeits-Lineare Treiber• High-Side-Lastschalter• Schaltkreise- Shop: reichelt elektronik
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UF3C120080B7S - SiC-Kaskode-FET, 1200V, 28,8A, Rdson 0,08R, D²Pak-7L
SiC-Kaskode-FET, 1200V, 28,8A, Rdson 0,08R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten ''Drop-in-Ersatz'' für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 80mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• PFC-Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung- Shop: reichelt elektronik
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UF3C120150B7S - SiC-Kaskode-FET, 1200V, 18,4A, Rdson 0,15R, D²Pak-7L
SiC-Kaskode-FET, 1200V, 27A, Rdson 0,15R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten ''Drop-in-Ersatz'' für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 150mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• PFC-Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung- Shop: reichelt elektronik
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SPP20N60C3 - MOSFET, CoolMOS, 650V, 20,7A, 208W, TO-220
revolutionäre Hochvolttechnologieweltbester RDSon im TO220-Gehäuseultra geringe Gate-Kapazität- Shop: reichelt elektronik
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IPA65R280E6 - MOSFET N-Ch 650V 13,8A 32W 0,28R TO220-Fullpak
650V CoolMOS™ E6 Power MOSFETFeatures• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss• Very high commutation ruggedness• Easy to use/drive• JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen freeApplicationsAdapter- Shop: reichelt elektronik
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IPW65R280E6 - MOSFET N-Ch 650V 13,8A 104W 0,28R TO247
650V CoolMOS™ E6 Power MOSFETFeatures• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss• Very high commutation ruggedness• Easy to use/drive• JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen freeApplicationsAdapter- Shop: reichelt elektronik
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IPP65R280E6 - MOSFET N-Ch 650V 13,8A 104W 0,28R TO220
650V CoolMOS™ E6 Power MOSFETFeatures• Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss• Very high commutation ruggedness• Easy to use/drive• JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen freeApplicationsAdapter- Shop: reichelt elektronik
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TMC2208 V3.0 Schrittmotortreiber Stepstick mit Kuhlkorperkabel STEP/DIR und UART-Modus 3D-Druckerteile Kompatibel mit SKR V1.3 V1.4 MKS GEN Ramps 1.4
Eigenschaften: Vermeiden Sie es, Schritte zu verlieren und zu zittern, gute Warmeableitung, Eintauchgoldprozess, extrem leise. Gro?e Warmeableitungsflache, gute Warmeableitung. StealthChop kann den Motor dazu bringen, unter extremer Stille zu arbeiten. SpreadCycle: Der vom PWM-Chopper-Modus gesteuerte Motor arbeitet reibungsloser und ohne Jitter. Es kann effektiv Probleme wie den Verlust der Laufabweichung und den Fehler vermeiden, der durch die uberlange des Chips verursacht wird. Spezifikationen: Konfiguration: STEP / DIR oder UART (optional) Menge: 1 Stuck / 4 Stuck / 5 Stuck (optional) Mikroschritte: Bis zu 1/256 MicroPlyer: 1/256 Logikspannung: 3,3 V / 5 V. Eingangsspannungsbereich: 4,75-36V Motorphasenstrom: 1,2 A RMS, 2,0 A Spitze Single Wire UART: Fur erweiterte Konfigurationsoptionen Low Rdson: LS 280 m & HS 290 m (typ.at 25 棩 Artikelgro?e: 2,0 * 1,5 cm / 0,8 * 0,6 Zoll Packungsgro?e: 5,5 * 4,5 * 3,0 cm / 2,2 * 1,8 * 1,2 Zoll 1 Stuck) 9,9 * 5,9 * 3,6 cm / 3,9 * 2,3 * 1,4 Zoll- Shop: ManoMano
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IRFP 4321 - MOSFET, N-Kanal, 150 V, 78 A, Rds(on) 0,012 Ohm, TO-247AC
HEXFET Power MOSFETApplicationsMotion Control ApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHard Switched and High Frequency CircuitsBenefitsLow RDSON Reduces LossesLow Gate Charge Improves the Switching PerformanceImproved Diode Recovery Improves Switching & EMI Performance30V Gate Voltage Rating Improves RobustnessFully Characterized Avalanche SOA- Shop: reichelt elektronik
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IRFS4321PBF - MOSFET N-Ch 150V 75A 0,015R D²Pak
HEXFET Power MOSFETApplicationsMotion Control ApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHard Switched and High Frequency CircuitsBenefitsLow RDSON Reduces LossesLow Gate Charge Improves the Switching PerformanceImproved Diode Recovery Improves Switching & EMI Performance30V Gate Voltage Rating Improves RobustnessFully Characterized Avalanche SOA- Shop: reichelt elektronik
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