6 Results for : schalttransistor

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    STMicroelectronics Leistungs-Schalttransistor BUV48A NPN Gehäuseart TO-247 I(C) 15 A Emitter-Sperrspannung U(CEO) 450 V (BUV48A)
    Beschreibung Leistungs-Schalttransistor Technische Daten: Ausführung: NPN Emitter-Sperrspannung U(CEO): 450 V Gehäuseart: TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM I(C): 15 A In PCB-Software verfügbar: Target 3001! Typ: BUV48A
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    • Price: 13.32 EUR excl. shipping
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    STMicroelectronics Leistungs-Schalttransistor BUV48A NPN Gehäuseart TO-247 I(C) 15 A Emitter-Sperrspannung U(CEO) 450 V (BUV48A)
    Beschreibung Leistungs-Schalttransistor Technische Daten: Ausführung: NPN Emitter-Sperrspannung U(CEO): 450 V Gehäuseart: TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM I(C): 15 A In PCB-Software verfügbar: Target 3001! P(tot): 125 W Typ: BUV48A U(CES): 1000 V
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    MMBF4391LT1G - N-Kanal-JFET, 30V, 50-150mA, 0,225W, SOT-23
    Der MMBF4391LT1G ist ein N-Kanal-JFET-Schalttransistor für analoge Schalt- und Chopperapplikationen.• AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig• Diese Geräte sind Pb-frei, halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, Rollenware a 3000 Stück, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
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    MMBF4392LT1G - N-Kanal-JFET, 30V, 25-75mA, 0,225W, SOT-23
    Der MMBF4392LT1G ist ein N-Kanal-JFET-Schalttransistor für analoge Schalt- und Chopperapplikationen.• AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig• Diese Geräte sind Pb-frei, halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, Rollenware a 3000 Stück, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
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    MMBF4393LT1G - N-Kanal-JFET, 30V, 5-30mA, 0,225W, SOT-23
    Der MMBF4393LT1G ist ein N-Kanal-JFET-Schalttransistor für analoge Schalt- und Chopperapplikationen.• AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig• Diese Geräte sind Pb-frei, halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konformBei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, Rollenware a 3000 Stück, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!
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    HFA 15TB60 - Ultrafast Soft Recovery Diode, 600 V, 15 A, TO-220AC
    VS-HFA15TB60-M3, HEXFRED®, ultraschnelle Soft-Recovery-Diode, 15 ABeschreibung:VS-HFA15TB60... ist eine ultraschnelle Erholungsdiode auf dem neuesten Stand der Technik. Durch den Einsatz modernster Epitaxiebauweise und fortschrittlicher Verarbeitungstechniken zeichnet sie sich durch eine hervorragende Kombination von Eigenschaften aus, die zu einer Leistung führen, die von keinem bisher erhältlichen Gleichrichter übertroffen wird. Mit Basiswerten von 600 V und 15 A Dauerstrom eignet sich die VS-HFA15TB60... besonders gut für den Einsatz als Begleitdiode für IGBTs und MOSFETs. Neben der ultraschnellen Erholungszeit zeichnet sich die HEXFRED®-Produktlinie durch extrem niedrige Werte des Spitzenerholungsstroms (IRRM) aus und zeigt keine Tendenz zum ''Abreißen'' während des tb-Anteils der Erholung. Die HEXFRED-Merkmale bieten Entwicklern einen Gleichrichter mit geringerem Rauschen und deutlich niedrigeren Schaltverlusten sowohl in der Diode als auch im Schalttransistor. Diese HEXFRED-Vorteile können dazu beitragen, die Dämpfung, die Anzahl der Bauteile und die Größe der Kühlkörper erheblich zu reduzieren. Der HEXFRED VS-HFA15TB60... eignet sich ideal für Anwendungen in Stromversorgungen und Stromumwandlungssystemen (z. B. Wechselrichter), Motorantrieben und vielen anderen ähnlichen Anwendungen, bei denen hohe Geschwindigkeit und hoher Wirkungsgrad erforderlich sind.Merkmale:• Ultraschnelle und ultrasanfte Erholung• Sehr niedrige IRRM und Qrr• Entwickelt und qualifiziert gemäß JEDEC®-JESD 47• Materialkategorisierung: Definitionen der Konformität finden Sie unterVorteile:• Reduzierte RFI und EMI• Geringere Verlustleistung in Diode und Schalttransistor• Höherer Frequenzbetrieb• Reduziertes Dämpfungsverhalten• Geringere Anzahl von Bauteilen
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