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Diese SiC-Diode ist eine Hochleistungs-Schottky-diode, gefertigt aus einem Siliziumkarbid-Substrat.Das Wide-Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig.Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig.Dieser Doppeldioden-Gleichrichter, der sich besonders für den Einsatz in verschachtelten oder brückenlosen Topologien eignet, erhöht die Leistung unter harten Schaltbedingungen. Seine hohe Stoßstrombelastbarkeit gewährleistet eine gute Robustheit in transienten Phasen.Merkmale• keine oder vernachlässigbare Reverse-Recovery• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstrombelastbarkeit• ECOPACK®2-konforme Komponente

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STPSC16H065C - SiC-Dual-Schottkydiode, 650V, 16A (2x8), TO220AB

Diese SiC-Diode ist eine Hochleistungs-Schottky-diode, gefertigt aus einem Siliziumkarbid-Substrat.Das Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig.Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig.Dieser Doppeldioden-Gleichrichter, der sich besonders für den Einsatz in verschachtelten oder brückenlosen Topologien eignet, erhöht die Leistung unter harten Schaltbedingungen. Seine hohe Stoßstrombelastbarkeit gewährleistet eine gute Robustheit in transienten Phasen.Merkmale• keine oder vernachlässigbare Reverse-Recovery• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstrombelastbarkeit• ECOPACK®2-konforme Komponente

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STPSC20H065C - SiC-Dual-Schottkydiode, 650V, 20A (2x10), TO220AB

Diese SiC-Diode ist eine Hochleistungs-Schottky-diode, gefertigt aus einem Siliziumkarbid-Substrat.Das Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig.Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig.Diese ST-SiC-Diode eignet sich besonders für den Einsatz in PFC-Anwendungen und erhöht die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Seine hohe Stoßstrombelastbarkeit gewährleistet eine gute Robustheit in transienten Phasen.Merkmale• keine oder vernachlässigbare Reverse-Recovery• positiver Temperaturkoeffizient• speziell für PFC-anwendungen entwickelt• hohe Stoßstrombelastbarkeit

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BTA 12/600B - TRIAC, 600 V, 12 A, TO-220

MBR 20100CT - Schottkydiode, 100 V, 10 A, TO-220AB

FS 1209MH - Thyristor, 600 V, 12 A, TO-220AB

FS 1610DH - Thyristor, 400 V, 16 A, TO-220AB

FS 0809MH - Thyristor, 600 V, 8 A, TO-220AB

BTA 12/800B - TRIAC, 800 V, 12 A, TO-220

BTA 16/800B - TRIAC, 800 V, 16 A, TO-220

STPSC12H065C - SiC-Dual-Schottkydiode, 650V, 12A (2x6), TO220AB

STPSC16H065C - SiC-Dual-Schottkydiode, 650V, 16A (2x8), TO220AB

STPSC20H065C - SiC-Dual-Schottkydiode, 650V, 20A (2x10), TO220AB

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