78 Results for : tsop

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    RE 900 - SMD-Laborkarte, Epoxyd, SMD-TSOP I/II
    SMD-TSOP I/II Multiadapter für 14 verschiedene SMD TSOP I und 7 verschiedene SMD TSOP II Gehäuse. Pitch-Abstände: 0,4/0,5/0,65/0,8/ 1,27mm, mit chem. Gold und Lötstoppmaske vorgeritzte Solbruchstellen zum Trennen einzelner Module.
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 13.95 EUR excl. shipping
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    Vishay TSAL 6200 IR-Emitter 940 nm 17° 5mm radial bedrahtet
    IR-Sendediode für TSOP-Module 940 nm.
    • Shop: digitalo
    • Price: 0.38 EUR excl. shipping
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    Ersa FDLF075 Entlötspitze Spitzen-Größe 7.5mm Inhalt 2St.
    Zum Entlöten von Bauteilen wie z.B. SOIC,TSOP.
    • Shop: digitalo
    • Price: 47.46 EUR excl. shipping
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    Ersa FDLF100 Entlötspitze Spitzen-Größe 10mm Inhalt 2St.
    Zum Entlöten von Bauteilen wie z.B. SOIC,TSOP.
    • Shop: digitalo
    • Price: 44.99 EUR excl. shipping
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    IS61C5128AL-10TL - High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 10ns, TSOP-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 512kx8 10ns TSOP-44Beschreibung:Die ISSI IS61C5128AL/AS und IS64C5128AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 524.288 Worte mal 8 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C5128AL/AS sind in den JEDEC-Standard-Gehäusen 36-Pin SOJ (400-mil), 32-Pin sTSOP-I, 32-Pin SOP, 44-Pin TSOP-II und 32-Pin TSOP-II untergebracht.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Erhältlich in einem 36-poligen SOJ (400-mil)-Gehäuse und einem 44-poligen TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 5.30 EUR excl. shipping
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    IS61C25616AL-10T - High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 10ns, TSOP-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 256kx16 10ns TSOP44(II)Beschreibung:Die ISSI IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.Merkmale:• Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns• Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)• Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung• Verfügbar im 44-poligen SOJ-Gehäuse und 44-poliger TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 7.15 EUR excl. shipping
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    IS61C6416AL-12TL - High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 5 V, 12ns, TSOP-44
    High-Speed CMOS Static RAM 5V 64kx16 12ns TSOP44(II)Beschreibung:Die ISSI IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL und IS65C6416AL sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 1.048.576 Bit, die als 65.536 Wörter mit 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieses äußerst zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip-Enable- und Output-Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Die aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL und IS65C6416AL sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.Merkmale:• IS61C6416AL und IS64C6416AL - Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 12 ns, 15ns - Niedrige Wirkleistung: 175 mW (typisch) - Niedrige Standby-Leistung: 1 mW (typisch) CMOS-Standby• IS62C6416AL und IS65C6416AL - Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 35 ns, 45ns - Niedrige Wirkleistung: 50 mW (typisch) - Geringe Standby-Leistung: 100 µW (typisch) CMOS-Standby• TTL-kompatible Schnittstellenpegel• Einzelne 5V ± 10% Stromversorgung• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich• Verfügbar im 44-poligen SOJ- und TSOP (Typ II)• Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperatur verfügbare Bereiche• Bleifrei verfügbar
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 3.85 EUR excl. shipping
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    RE 969-01 - Adapter TSOP56 P=0,635 mm RM 2,54 mm
    Adapter für TSOP 56Epoxydglashartgewebe FR4 1,50 mmZweiseitig 35 µm CuDurchkontaktiert (PTH)Oberfläche chem. Ni/AuLötstopplackAdaptionsplatine für TSOP 56Pitch: 0,635 mmzweireihig ausgeleitet in das Raster 2,54 mmGröße 39,37 x 41,91 mm
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 2.35 EUR excl. shipping
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    Ersa Entlötspitze FDLF100 Spitzen-Größe 10 mm Inhalt 2 St. (0452FDLF100/SB)
    Beschreibung Entlötspitzen-Paar Typ 452 Zum Entlöten von Bauteilen wie z.B. SOIC,TSOP. Technische Daten: Lötspitzen-Typ (Kategorisierung): Entlötspitze Passend für: ERSA Entlötpinzette der Lötstation Rework 80, bzw. SMT 60 A/C sowie Digital 2000 Passend für Marke (Löttechnik): Ersa Spitzen-Größe: 10 mm Typ (Hersteller-Typ): FDLF100
    • Shop: JACOB Computer
    • Price: 58.90 EUR excl. shipping
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    CY62167G-45ZXI - SRAM, 16 Mb (2 M x 8/ 1 M x 16 ), 5 V, 45ns, TSOP-48
    16-Mbit (1Mb × 16-bit/2Mb × 8-bit) Statisches RAM mit Fehlerkorrekturcode (ECC)BeschreibungCY62167G und CY62167GE sind hochleistungsfähige CMOS-SRAM-Bausteine mit niedrigem Stromverbrauch (MoBL®) und eingebettetem ECC[1]. Beide Bausteine werden in Single- und Dual-Chip-Enable-Optionen und in Mehrfach-Pin-Konfigurationen angeboten. Der Baustein CY62167GE enthält eineERR-Pin, der ein Einzelbit-Fehlererkennungs- und Korrekturereignis während eines Lesezyklus signalisiert. Um auf Geräte mit einem einzigen Chip-Freigabeeingang zuzugreifen, setzen Sie den Chip-Freigabeeingang (CE) auf LOW. Um auf Dual-Chip-Freigabegeräte zuzugreifen, müssen beide Chip-Freigabeeingänge aktiviert werden - CE1 als LOW und CE2 als HIGH. Um Datenschreiboperationen durchzuführen, setzen Sie den Write Enable (WE)-Eingang auf LOW und stellen die Daten und die Adresse an den Datenpins (I/O0 bis I/O15) bzw. Adresspins (A0 bis A19) des Geräts bereit. Die Eingänge Byte High Enable (BHE) und Byte Low Enable (BLE) steuern Byte-Schreiboperationen und schreiben Daten auf den entsprechenden E/A-Leitungen in die angegebene Speicherstelle. BHE steuert I/O8 bis I/O15 und BLE steuert I/O0 bis I/O7. Um Daten zu lesen, aktivieren Sie den Eingang Output Enable (OE) und geben Sie die erforderliche Adresse auf den Adressleitungen an. Sie können auf Lesedaten auf den E/A-Leitungen (I/O0 bis I/O15) zugreifen. Um Byte-Zugriffe durchzuführen, setzen Sie das erforderliche Byte-Freigabesignal (BHE oder BLE) ein, um entweder das obere oder das untere Datenbyte von der angegebenen Adressposition zu lesen. Alle E/As (I/O0 bis I/O15) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH für einen Single-Chip-Freigabebaustein und CE1 HIGH / CE2 LOW für einen Dual-Chip-Freigabebaustein), oder die Steuersignale deaktiviert werden (OE, BLE, BHE). Diese Bausteine verfügen über eine einzigartige Byte-Power-down-Funktion, bei der die Bausteine, wenn beide Byte-Freigaben (BHE und BLE) deaktiviert sind, unabhängig vom Zustand der Chip-Freigaben nahtlos in den Standby-Modus wechseln und dadurch Strom sparen. Bei den CY62167GE-Bausteinen wird die Erkennung und Korrektur eines Einzelbitfehlers an der Stelle, auf die zugegriffen wird, durch die Behauptung des ERR-Ausgangs (ERR = High) angezeigt. Die Bausteine CY62167G und CY62167GE sind in einerPb-freie 48-polige TSOP I-Gehäuse und VFBGA-Gehäuse mit 48 Kugeln.Merkmale• Ultra-niedriger Standby-Strom - Typischer Standby-Strom: 5,5 µA - Maximaler Standby-Strom: 16 µA• Hohe Geschwindigkeit: 45 ns/55 ns• Eingebetteter fehlerkorrigierender Code (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur• Großer Spannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V• 1.0-V-Datenspeicherung• Transistor-Transistor-Logik (TTL)-kompatible Ein- und Ausgänge• Fehleranzeige-Pin (ERR) zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -Korrektur• 48-poliges TSOP I-Gehäuse, konfigurierbar als 1M × 16 oder 2M × 8 SRAM• Erhältlich in Pb-freiem 48-Ball VFBGA und 48-Pin TSOP I Gehäuse
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 23.00 EUR excl. shipping

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