116 Results for : lesefähigkeit

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    AT45DB021E-MHN - NOR-Flash-Speicher 2Mb, 1,65V, Seriell, SPI, 70MHz, UDFN-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Mbit, SPI, UDFN-8, 70Mhz, 1024 Seiten x 264 ByteMerkmale:• Versorgungsspannung 1,65V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (32KB)- Chip-Löschung (2-Mbit/s)• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 200nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 3µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch bei 20MHz)- 4,5mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)- 8-pol ultradünnes DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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    AT45DB021E-SHN - NOR-Flash-Speicher 2Mb, 1,65V, Seriell, SPI, 70MHz, SOL-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 70Mhz, 1024 Seiten x 264 ByteMerkmale:• Versorgungsspannung 1,65V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (32KB)- Chip-Löschung (2-Mbit/s)• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 200nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 3µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch bei 20MHz)- 4,5mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)- 8-pol ultradünnes DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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    AT45DB021E-SSHN - NOR-Flash-Speicher 2Mb, 1,65V, Seriell, SPI, 70MHz, SO-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Mbit, SPI, SO-8 0.15'', 70Mhz, 1024 Seiten x 264 ByteMerkmale:• Versorgungsspannung 1,65V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (32KB)- Chip-Löschung (2-Mbit/s)• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 200nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 3µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch bei 20MHz)- 4,5mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)- 8-pol ultradünnes DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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    AT45DB161E-SHD - NOR-Flash-Speicher 16Mb, 2,5V, Seriell, SPI, 85MHz, SOL-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 16 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 85Mhz, 4096 Seiten x 528 Byte Merkmale:• Versorgungsspannung 2,5V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 512 Bytes pro Seite- 528 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 512 Byte vorkonfiguriert werden.• 2 unabhängige SRAM-Datenpuffer (512/528 Bytes)- Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicheranordnung• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 512/528 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (512/528 Bytes)- Block löschen (4KB)- Sektor löschen (128KB)- Chip-Löschung (16-Mbit/s)• Suspend / Resume programmieren und löschen• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 400nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 3µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch)- 7mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)
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    AT45DB081E-SHN - NOR-Flash-Speicher 8Mb, 1,7V, Seriell, SPI, 85MHz, SOL-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 8 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 85Mhz, 4096 Seiten x 264 Byte Merkmale:• Versorgungsspannung 1,7V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 20MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• 2 unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)- Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicheranordnung• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (64KB)- Chip-Löschung (8-Mbit/s)• Suspend / Resume programmieren und löschen• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 400nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 4,5µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch)- 11mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)
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    AT45DB641E-SHN - NOR-Flash-Speicher 64Mb, 2,3V, Seriell, SPI, 85MHz, SOL-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 85Mhz, 32K Seiten x 264 Byte Merkmale:• Versorgungsspannung 1,7V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• 2 unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)- Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicheranordnung• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (256KB)- Chip-Löschung (64-Mbit/s)• Suspend / Resume programmieren und löschen• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 400nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 5µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch)- 7mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) • Gehäusebauform- 8-pol-SOIC ( 0.208'' breit)
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    AT45DB041E-SHN - NOR-Flash-Speicher 4Mb, 1,65V, Seriell, SPI, 85MHz, SOL-8
    Flash-Speicher, Serial-NOR, 4 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 70Mhz, 2048 Seiten x 256 Byte Merkmale:• Versorgungsspannung 1,65V - 3,6V • Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel- Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3- Unterstützt den Betrieb von RapidS™• Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg- Bis zu 85MHz- Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz- Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns• Benutzerdefinierbare Seitengröße- 256 Bytes pro Seite- 264 Bytes pro Seite (Standard)- Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden.• 2 unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)- Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicheranordnung• Flexible Programmiermöglichkeiten- Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher- Puffer-Schreiben- Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm• Flexible Löschoptionen- Seitenlöschung (256/264 Bytes)- Block löschen (2KB)- Sektor löschen (64KB)- Chip-Löschung (4-Mbit/s)• Suspend / Resume programmieren und löschen• Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten- Individueller Sektorenschutz- Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen.• 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable)- 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert- 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar• Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen• JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID • Geringe Verlustleistung- 400nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch)- 3µA Deep Power-Down Strom (typisch)- 25µA Standby-Strom (typisch)- 7mA Aktiv Lesestrom (typisch)• Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite • Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre• Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich• Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) Gehäusebauform- 8-pol-SOIC (0.150'' und 0.208'' breit)- 8-pol ultradünnes DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
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    Wie kann die Lesefähigkeit verbessert werden? Das Potenzial des Lesetheaters als differenzierende Methode zum Leseflüssigkeitstraining
    Wie kann die Lesefähigkeit verbessert werden? Das Potenzial des Lesetheaters als differenzierende Methode zum Leseflüssigkeitstraining ab 12.99 € als pdf eBook: . Aus dem Bereich: eBooks, Belletristik, Erzählungen,
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    Beseitigung von Leseunlust. Unterrichtsmethoden zur Verbesserung der Lesefähigkeit und des Textverständnisses auf der Ebene der Sekundarstufe I
    Beseitigung von Leseunlust. Unterrichtsmethoden zur Verbesserung der Lesefähigkeit und des Textverständnisses auf der Ebene der Sekundarstufe I ab 14.99 € als Taschenbuch: 1. Auflage. Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Pädagogik,
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    Beseitigung von Leseunlust. Unterrichtsmethoden zur Verbesserung der Lesefähigkeit und des Textverständnisses auf der Ebene der Sekundarstufe I
    Beseitigung von Leseunlust. Unterrichtsmethoden zur Verbesserung der Lesefähigkeit und des Textverständnisses auf der Ebene der Sekundarstufe I ab 12.99 € als pdf eBook: 1. Auflage. Aus dem Bereich: eBooks, Fachthemen & Wissenschaft, Fremdsprachen,
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