363 Results for : mosfets

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    ESR02 Pro Transistortester Multifunktionale digitale Testdiode Triodenwiderstand Kapazitatsinduktivitat MOSFET NPN PNP Triac MOS Detektor mit
    Der Tester ist ein kleines Werkzeugdesign fur Ingenieur, elektronische Wartung und Fabrik. Es ist sehr einfach, Plug-In- und SMD-Gerate zu testen. AuBerdem konnen verschiedene Arten von Dioden, Trioden, Thyristoren und MOSFETs getestet werden. In der Lage, den Geratetyp, die Polaritat des Stifts, den Ausgang hFE, die Ventilspannung und die Sperrschichtkapazitat des PET zu analysieren. Eigenschaften: Automatische Erkennung von NPN- und PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, Doppeldioden, Thyristoren und Triacs. Messung des Stromverstarkungsfaktors und der Basis-Emitter-Schwellenspannung von Bipolartransistoren. Detektion der Schutzdiode von Bipolartransistoren und MOSFETs. Messung der Gate-Schwellenspannung und des Gate-Kapazitatswerts von MOSFETs. Der Induktivitatsmessbereich liegt zwischen 0,01 mH und 20 H, auBerhalb des Bereichs oder wenn der Widerstand hoher als 2,1 k am Widerstand angezeigt wird. Die Testzeit betragt ca. 2 Sekunden. Nur die Messung der
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    ESR02 Pro Transistortester Multifunktionaler digitaler Tester Diodentriodenwiderstand Kapazitatsinduktivitat MOSFET NPN PNP Triac MOS Detektor,Ohne
    Der Tester ist ein kleines Werkzeugdesign fur Ingenieur, elektronische Wartung und Fabrik. Es ist sehr einfach, Plug-In- und SMD-Gerate zu testen. AuBerdem konnen verschiedene Arten von Dioden, Trioden, Thyristoren und MOSFETs getestet werden. In der Lage, den Geratetyp, die Polaritat des Stifts, den Ausgang hFE, die Ventilspannung und die Sperrschichtkapazitat des PET zu analysieren. Eigenschaften: Automatische Erkennung von NPN- und PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, Doppeldioden, Thyristoren und Triacs. Messung des Stromverstarkungsfaktors und der Basis-Emitter-Schwellenspannung von Bipolartransistoren. Detektion der Schutzdiode von Bipolartransistoren und MOSFETs. Messung der Gate-Schwellenspannung und des Gate-Kapazitatswerts von MOSFETs. Der Induktivitatsmessbereich liegt zwischen 0,01 mH und 20 H, auBerhalb des Bereichs oder wenn der Widerstand hoher als 2,1 k am Widerstand angezeigt wird. Die Testzeit betragt ca. 2 Sekunden. Nur die Messung der
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    Bside - ESR02 Pro Transistortester Multifunktionale digitale Testdiode Triodenwiderstand Kapazitatsinduktivitat MOSFET NPN PNP Triac MOS Detektor mit
    Der Tester ist ein kleines Werkzeugdesign fur Ingenieur, elektronische Wartung und Fabrik. Es ist sehr einfach, Plug-In- und SMD-Gerate zu testen. AuBerdem konnen verschiedene Arten von Dioden, Trioden, Thyristoren und MOSFETs getestet werden. In der Lage, den Geratetyp, die Polaritat des Stifts, den Ausgang hFE, die Ventilspannung und die Sperrschichtkapazitat des PET zu analysieren. Eigenschaften: Automatische Erkennung von NPN- und PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, Doppeldioden, Thyristoren und Triacs. Messung des Stromverstarkungsfaktors und der Basis-Emitter-Schwellenspannung von Bipolartransistoren. Detektion der Schutzdiode von Bipolartransistoren und MOSFETs. Messung der Gate-Schwellenspannung und des Gate-Kapazitatswerts von MOSFETs. Der Induktivitatsmessbereich liegt zwischen 0,01 mH und 20 H, auBerhalb des Bereichs oder wenn der Widerstand hoher als 2,1 k am Widerstand angezeigt wird. Die Testzeit betragt ca. 2 Sekunden. Nur die Messung der
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    Bside - ESR02 Pro Transistortester Multifunktionaler digitaler Tester Diodentriodenwiderstand Kapazitatsinduktivitat MOSFET NPN PNP Triac MOS
    Der Tester ist ein kleines Werkzeugdesign fur Ingenieur, elektronische Wartung und Fabrik. Es ist sehr einfach, Plug-In- und SMD-Gerate zu testen. AuBerdem konnen verschiedene Arten von Dioden, Trioden, Thyristoren und MOSFETs getestet werden. In der Lage, den Geratetyp, die Polaritat des Stifts, den Ausgang hFE, die Ventilspannung und die Sperrschichtkapazitat des PET zu analysieren. Eigenschaften: Automatische Erkennung von NPN- und PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, Doppeldioden, Thyristoren und Triacs. Messung des Stromverstarkungsfaktors und der Basis-Emitter-Schwellenspannung von Bipolartransistoren. Detektion der Schutzdiode von Bipolartransistoren und MOSFETs. Messung der Gate-Schwellenspannung und des Gate-Kapazitatswerts von MOSFETs. Der Induktivitatsmessbereich liegt zwischen 0,01 mH und 20 H, auBerhalb des Bereichs oder wenn der Widerstand hoher als 2,1 k am Widerstand angezeigt wird. Die Testzeit betragt ca. 2 Sekunden. Nur die Messung der
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    Bside - ESR02 Pro Transistor Tester Multifunktionaler digitaler Tester Diode Triode Widerstand Kapazität Induktivität MOSFET NPN PNP Triac MOS
    Der Tester ist ein kleines Werkzeugdesign für Ingenieur, elektronische Wartung und Fabrik. Es ist sehr einfach, Plug-In- und SMD-Geräte zu testen. Außerdem können verschiedene Arten von Dioden, Trioden, Thyristoren und MOSFETs getestet werden. In der Lage, den Gerätetyp, die Polarität des Stifts, den Ausgang hFE, die Ventilspannung und die Sperrschichtkapazität des PET zu analysieren. Eigenschaften: Automatische Erkennung von NPN- und PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, Doppeldioden, Thyristoren und Triacs. Messung des Stromverstärkungsfaktors und der Basis-Emitter-Schwellenspannung von Bipolartransistoren. Detektion der Schutzdiode von Bipolartransistoren und MOSFETs. Messung der Gate-Schwellenspannung und des Gate-Kapazitätswerts von MOSFETs. Der Induktivitätsmessbereich liegt zwischen 0,01 mH und 20 H, außerhalb des Bereichs oder wenn der Widerstand höher als 2,1 kΩ am Widerstand angezeigt wird. Die Testzeit beträgt ca. 2 Sekunden. Nur die Messung der
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    Bside - ESR02 Pro Transistor Tester Multifunktionaler digitaler Tester Diode Triode Widerstand Kapazität Induktivität MOSFET NPN PNP Triac MOS
    Der Tester ist ein kleines Werkzeugdesign für Ingenieur, elektronische Wartung und Fabrik. Es ist sehr einfach, Plug-In- und SMD-Geräte zu testen. Außerdem können verschiedene Arten von Dioden, Trioden, Thyristoren und MOSFETs getestet werden. In der Lage, den Gerätetyp, die Polarität des Stifts, den Ausgang hFE, die Ventilspannung und die Sperrschichtkapazität des PET zu analysieren. Eigenschaften: Automatische Erkennung von NPN- und PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, Doppeldioden, Thyristoren und Triacs. Messung des Stromverstärkungsfaktors und der Basis-Emitter-Schwellenspannung von Bipolartransistoren. Detektion der Schutzdiode von Bipolartransistoren und MOSFETs. Messung der Gate-Schwellenspannung und des Gate-Kapazitätswerts von MOSFETs. Der Induktivitätsmessbereich liegt zwischen 0,01 mH und 20 H, außerhalb des Bereichs oder wenn der Widerstand höher als 2,1 kΩ am Widerstand angezeigt wird. Die Testzeit beträgt ca. 2 Sekunden. Nur die Messung der
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    Multifunktions-LCD-Hintergrundbeleuchtung Transistortester Dioden-Triode-Kapazitäts-ESR-Messgerät MOS PNP NPN LCR,Orange
    Multifunktionale Transistor-Tester für automatische Erkennung von NPN- und PNP-Transistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, Dioden, Triode, Widerstände, Kondensatoren oder andere Geräte. Einfach und bequem zu bedienen. Features: der Anzeige beträgt 128 * 64 LCD mit Hintergrundbeleuchtung in gelb-grüne Farbe. Powered durch 9V-Batterie Schicht gebaut. 2 Li-Ion-Batterien kombiniert können bilden ein 8.4V Akku für lange Zeit macht. neue Boot-Voltage-Detection-Funktion. automatisch erkennen, NPN- und PNP-Transistoren, N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs, Dioden, Triode, Widerstände, Kondensatoren oder andere Geräte. automatisch testen die Pins einer Komponente und die Anzeige auf dem LCD. Messen der Gate-Schwellspannung und Gate-Kapazität des MOSFETs. Maßnahme Bipolartransistor aktuelle Verstärkung Faktor und Basis-Emitter-Schwellenspannung. Einknopf-Bedienung, automatische Abschaltung, unnötige Abfälle zu vermeiden. kurze Erkennungszeit: nur 2 Sekunden. Es ist normal, 1 Minute für
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    Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set
    Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen.
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    Panasonic APV1121S PhotoMOS-Relais Polzahl (num): 4
    Einkanal-Photovoltaic-MOSFET-Treiber mit hohen Schaltgeschwindigkeiten im Miniatur SO-Gehäuse. Anwendung: Ansteuerung externer MOSFETs, galvanisch getrennte Spannungsquelle.
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    Sarkar:Subthreshold Modeling of Submicr
    Erscheinungsdatum: 10/2011, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Subthreshold Modeling of Submicron MOSFETs, Titelzusatz: Short Channel Mosfets: Conventional and Dual Material Gate (DMG), Autor: Sarkar, Angsuman, Verlag: LAP Lambert Acad. Publ., Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 104, Informationen: Paperback, Gewicht: 171 gr, Verkäufer: averdo
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