47 Results for : to252
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C4D02120E - SMD-SiC-Schottkydiode 1200V, 5A, TO252
Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• temperaturunabhängiges Schaltverhalten• extrem schnelles Schalten• optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• AEC-Q101-zertifiziertAnwendungen• Schaltnetzteile• Verstärkungsdioden für Leistungsfaktokorrektur und DC/DC-Wandler• Freilaufdioden in Umrichterstufen• Gleichrichter- Shop: reichelt elektronik
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C4D08120E - SMD-SiC-Schottkydiode 1200V, 12A, TO252
Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• temperaturunabhängiges Schaltverhalten• extrem schnelles Schalten• optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• AEC-Q101-zertifiziertAnwendungen• Schaltnetzteile• Verstärkungsdioden für Leistungsfaktokorrektur und DC/DC-Wandler• Freilaufdioden in Umrichterstufen• Gleichrichter- Shop: reichelt elektronik
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C4D10120E - SMD-SiC-Schottkydiode 1200V, 16A, TO252
Technische Daten• Revolutionäres Halbleitermaterial SiC• Kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• Temperaturunabhängiges Schaltverhalten• Extrem schnelles Schalten• Optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• AEC-Q101-zertifiziertAnwendungen• Solar-Wechselrichter• Schaltnetzteile• Verstärkungsdioden für Leistungsfaktokorrektur und DC/DC-Wandler- Shop: reichelt elektronik
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IDD03SG60C - SMD-SiC-Schottkydiode 600V, 3A, TO252
Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• temperaturunabhängiges Schaltverhalten• extrem schnelles Schalten• optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• hohe Stoßstromresistenz• JEDEC-zertifiziertAnwendung• Schaltnetzteile• Motortreiber• Solarumrichter• Unterbrechungsfreie Spannungsversorgung- Shop: reichelt elektronik
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IDD04SG60C - SMD-SiC-Schottkydiode 600V, 4A, TO252
Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• temperaturunabhängiges Schaltverhalten• extrem schnelles Schalten• optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• hohe Stoßstromresistenz• JEDEC-zertifiziertAnwendung• Schaltnetzteile• Motortreiber• Solarumrichter• Unterbrechungsfreie Spannungsversorgung- Shop: reichelt elektronik
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IDD05SG60C - SMD-SiC-Schottkydiode 600V, 5A, TO252
Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• temperaturunabhängiges Schaltverhalten• extrem schnelles Schalten• optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• hohe Stoßstromresistenz• JEDEC-zertifiziertAnwendung• Schaltnetzteile• Motortreiber• Solarumrichter• Unterbrechungsfreie Spannungsversorgung- Shop: reichelt elektronik
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IDD09SG60C - SMD-SiC-Schottkydiode 600V, 9A, TO252
Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten• temperaturunabhängiges Schaltverhalten• extrem schnelles Schalten• optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen• hohe Stoßstromresistenz• JEDEC-zertifiziertAnwendung• Schaltnetzteile• Motortreiber• Solarumrichter• Unterbrechungsfreie Spannungsversorgung- Shop: reichelt elektronik
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STD100N10F7 - MOSFET N-Ch 100V 80A 0,008R TO252
STripFET™ F7 Power MOSFETsFeaturesAmong the lowest RDS(on) on the marketExcellent FoM (figure of merit)Low Crss/Ciss ratio for EMI immunityHigh avalanche ruggednessDescriptionThese N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.ApplicationsSwitching applications- Shop: reichelt elektronik
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STD10P6F6 - MOSFET P-Ch 60V 10A 0,16R TO252
STripFET™ F6 Power MOSFETsFeaturesVery low on-resistanceVery low gate chargeHigh avalanche ruggednessLow gate drive power lossDescriptionThese devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in allpackages.ApplicationsSwitching applications- Shop: reichelt elektronik
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STD20NF06L - MOSFET N-Ch 60V 24A 0,04R TO252
STripFET™ II Power MOSFETGeneral features�Exceptional dv/dt capability�100% avalanche tested�Application oriented characterizationDescriptionThis Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “Single Feature Size™” stripbased process. The resulting transistor shows extremely high packing densityfor low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.Applications�Switching application- Shop: reichelt elektronik
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