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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - Memory - 16 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393B2G70QH0-YK0 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - Memory - 16 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 SDRAM Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Datenintegritätsprüfung ECC Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Leistungsmerkmale Acht Bänke Dual Rank Niederspannung Versorgungsspannung 1.35 V CAS Latency CL11 Ausführliche Details Allgemein Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.18 Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Datenintegritätsprüfung ECC RAM-Merkmale Acht Bänke Dual Rank Niederspannung Modulkonfiguration 2048 x 72 CAS Latency CL11 Chip-Organisation 1024 x 4 Versorgungsspannung
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A4K40BB1-CRC Modell EAN/UPC 8592978101404 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 32 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Dual Rank, On-Die Termination (ODT), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 32 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.22 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, On-Die Termination (ODT), sechzehn Bänke, registriert Modulkonfiguration 4096 x 72 Chip-Organisation 2048 x 4 Spannung 1.2 V Verschiedenes
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 8 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A1G43EB1-CRC Modell EAN/UPC 4260387380973 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 8 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 8 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD),
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - ungepuffert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M391A2K43BB1-CTD Modell EAN/UPC 7640143873012 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - ungepuffert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Dual Rank, On-Die Termination (ODT), sechzehn Bänke, ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, On-Die Termination (ODT), sechzehn Bänke, ungepuffert Modulkonfiguration 2048 x 72 Chip-Organisation 1024 x 8 Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2K43BB1-CRC Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2K40BB1-CRC Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Single Rank, sechzehn Bänke , registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Single Rank, sechzehn Bänke , registriert Modulkonfiguration 2048 x 72 Chip-Organisation 2048 x 4 Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung Bleifrei, halogenfrei
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A8G40MB2-CTD Modell EAN/UPC 7640143874262 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 64 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Dual Rank, registriert Spannung 1.2 V Lokalisierung Europa Ausführliche Details Allgemein Kapazität 64 GB Erweiterungstyp Generisch Breite 133 mm Tiefe 4.2 mm Höhe 31.3 mm Lokalisierung Europa Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, registriert Modulkonfiguration 8192 x 72 Chip-Organisation 4096 x 4 Spannung 1.2 V
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR3 - 16 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393B2G70QH0-YK0 Modell EAN/UPC 4053162691667 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR3 - 16 GB - DIMM 240-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - DIMM 240-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, acht Bänke, On-Die Termination (ODT), Niederspannung, registriert Spannung 1.35 / 1.5 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.18 Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, acht Bänke, On-Die Termination (ODT), Niederspannung,
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A4K40BB2-CTD Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 32 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 32 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - LRDIMM 288-polig - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - Load-Reduced - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M386A8K40BM2-CTD Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - LRDIMM 288-polig Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 64 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - LRDIMM 288-polig Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Quad Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, Load-Reduced Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 64 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor LRDIMM 288-polig Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Quad Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, Load-Reduced Modulkonfiguration
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