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    Samsung Semiconductor - DDR4 - 128 GB - LRDIMM 288-polig - 2666 MHz / PC4-21300 - CL22 - 1.2 V - Load-Reduced - ECC
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 128 GB - LRDIMM 288-polig - 2666 MHz / PC4-21300 - CL22 - 1.2 V - Load-Reduced - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M386AAK40B40-CWD Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 128 GB - LRDIMM 288-polig Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 128 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - LRDIMM 288-polig Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL22 (22-19-19) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), acht Ranks, sechzehn Bänke, Through Silicon Via (TSV) Technologie, Load-Reduced Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 128 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor LRDIMM 288-polig Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL22 (22-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, On-Die Termination (ODT),
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    Samsung Semiconductor - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M378A5244CB0-CRC Modell EAN/UPC 8435280900917 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN - ungepuffert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Single Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Single Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Modulkonfiguration 512 x 64 Chip-Organisation 512 x 16 Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung Bleifrei,
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    Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - LRDIMM 288-polig - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - Load-Reduced - ECC
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - LRDIMM 288-polig - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - Load-Reduced - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M386A8K40BM1-CRC Modell EAN/UPC 4260580370504 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - LRDIMM 288-polig Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 64 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - LRDIMM 288-polig Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Quad Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, Load-Reduced Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 64 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor LRDIMM 288-polig Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Quad Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, Load-Reduced Modulkonfiguration
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    Samsung Semiconductor - DDR3L - 8 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - registriert - ECC
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR3L - 8 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393B1G70EB0-YK0 Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR3L - 8 GB - DIMM 240-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 8 GB Speichertyp DDR3L SDRAM - DIMM 240-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3L-12800) Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, acht Bänke, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), Niederspannung, registriert Spannung 1.35 / 1.5 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3L SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.18 Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3L-12800) Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, acht Bänke, On-Die Termination (ODT), Serial
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    Samsung Semiconductor - DDR4 - 16GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 registriert - ECC (M393A2K43BB1-CTD) (B-Ware)
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2K43BB1-CTD Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke , registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke ,
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    Harrington:APPLICATION OF SEMICONDUCTOR
    Erscheinungsdatum: 06/2010, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: APPLICATION OF SEMICONDUCTOR PHYSICS TO CORROSION AND ELECTROCHEMISTRY, Titelzusatz: An investigation of the electronic properties of passive films, Autor: Harrington, Scott, Verlag: LAP Lambert Acad. Publ., Sprache: Englisch, Rubrik: Maschinenbau // Fertigungstechnik, Seiten: 148, Informationen: Paperback, Gewicht: 237 gr, Verkäufer: averdo
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    Samsung Semiconductor - DDR4 - 64GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 registriert - ECC (M393A8G40MB2-CTD) - Sonderposten
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A8G40MB2-CTD Modell EAN/UPC 7640143874262 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 64 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Dual Rank, registriert Spannung 1.2 V Lokalisierung Europa Ausführliche Details Allgemein Kapazität 64 GB Erweiterungstyp Generisch Breite 133 mm Tiefe 4.2 mm Höhe 31.3 mm Lokalisierung Europa Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, registriert Modulkonfiguration 8192 x 72 Chip-Organisation 4096 x 4 Spannung 1.2 V
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    Samsung Semiconductor - DDR4 - 64GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 registriert - ECC (M393A8G40MB2-CTD) - Sonderposten
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A8G40MB2-CTD Modell EAN/UPC 7640143874262 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 64 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Dual Rank, registriert Spannung 1.2 V Lokalisierung Europa Ausführliche Details Allgemein Kapazität 64 GB Erweiterungstyp Generisch Breite 133 mm Tiefe 4.2 mm Höhe 31.3 mm Lokalisierung Europa Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, registriert Modulkonfiguration 8192 x 72 Chip-Organisation 4096 x 4 Spannung 1.2 V
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    Samsung Semiconductor - DDR4 - 64GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 registriert - ECC (M393A8G40MB2-CTD) - Sonderposten
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A8G40MB2-CTD Modell EAN/UPC 7640143874262 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 64 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Dual Rank, registriert Spannung 1.2 V Lokalisierung Europa Ausführliche Details Allgemein Kapazität 64 GB Erweiterungstyp Generisch Breite 133 mm Tiefe 4.2 mm Höhe 31.3 mm Lokalisierung Europa Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, registriert Modulkonfiguration 8192 x 72 Chip-Organisation 4096 x 4 Spannung 1.2 V
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    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A8G40MB2-CTD Modell EAN/UPC 7640143874262 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 64 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Dual Rank, registriert Spannung 1.2 V Lokalisierung Europa Ausführliche Details Allgemein Kapazität 64 GB Erweiterungstyp Generisch Breite 133 mm Tiefe 4.2 mm Höhe 31.3 mm Lokalisierung Europa Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, registriert Modulkonfiguration 8192 x 72 Chip-Organisation 4096 x 4 Spannung 1.2 V
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