33 Results for : irfb
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IRFB 3206 - MOSFET, N-CH, 60 V, 75 A, 300W, TO-220AB
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IRFB 4229 - MOSFET, N-CH, 250V, 46A, 330W, TO-220-5-Fullpak
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IRFB 7434 - MOSFET, N-Kanal, 40 V, 317 A, Rdson 0,00125 Ohm, TO-220AB
StrongIRFET™ IRFB7434PbF , HEXFET® Leistungs-MOSFETLeistungen• Verbesserte Robustheit des Gate, Avalanche und dynamischer dV/dt• Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA• Erweiterte Körperdiode dV/dt und dI/dt Fähigkeit• Bleifrei*• RoHS-konform, halogenfrei*Anwendung• Antriebsanwendungen mit bürstenbehaftetem Motor• BLDC Motorantriebsanwendungen• Batteriebetriebene Schaltkreise• Halbbrücken- und Vollbrückentopologien• Synchrongleichrichter-Anwendungen• Resonanzmodus-Stromversorgungen• ODER-Verknüpfung und redundante Leistungsschalter• DC/DC- und AC/DC-Wandler• DC/AC-Wechselrichter- Shop: reichelt elektronik
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IRFB 3307Z - MOSFET N-Kanal, 75 V, 120 A, RDS(on) 0,0046 Ohm, TO-220AB
HEXFET-Leistungs-MOSFETAnwendungenHocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPSUnterbrechungsfreie StromversorgungHochgeschwindigkeits-SchaltnetzteilHart geschaltete und HochfrequenzschaltungenVorteileVerbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-RobustheitVollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOAErhöhte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode- Shop: reichelt elektronik
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IRFB 4110 - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 180 A, RDS(on) 0,0037 Ohm, TO-220AB
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IRFB 4710 - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 75 A, RDS(on) 0,014 Ohm, TO-220AB
IRFB4710PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile• Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Reduzierung der Schaltverluste- Vollständig charakterisierte Kapazität einschließlich effektivem Coss zur Vereinfachung des Designs• Vollständig charakterisierte Avalanche-Spannung und StromAnwendungen• Hochfrequenz DC/DC-Wandler• Motorsteuerung• Nicht unterbrechbare Stromversorgungen• Bleifrei- Shop: reichelt elektronik
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IRFB 4310Z - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 120 A, Rds(on) 0,0048 Ohm, TO-220
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IRFB 3607 - MOSFET, N-Kanal, 75 V, 80 A, RDS(on) 0,00734 Ohm, TO-220AB
IRFB3607PbF , HEXFET Leistungs-MOSFETVorteil:• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit• Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA• Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-DiodeAnwendungen:• Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung• Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil• Hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen- Shop: reichelt elektronik
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IRFB 4019 - MOSFET, N-Kanal, 150 V, 17 A, Rds(on) 0,08 Ohm, TO-220AB
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IRFB 7430 - MOSFET, N-Kanal, 40 V, 409 A, RDS(on) 0,001 Ohm, TO-220AB
HEXFET Leistungs-MOSFETSTRONG IR FETAnwendung:• Motorantrieb• batteriebetriebene Schaltungen• Halb- und Vollbrücken Topologien• Synchrongleichrichter• DC/DC- und AC/DC- Wandler• DC/AC Wechselrichter- Shop: reichelt elektronik
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