168 Results for : 650v

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    IPA65R095C7 - MOSFET N-Ch 650V 12A 34W 0,095R TO220-Fullpak
    650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.
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    • Price: 4.73 EUR excl. shipping
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    IPA65R125C7 - MOSFET N-Ch 650V 10A 32W 0,125R TO220-Fullpak
    650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.
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    • Price: 3.68 EUR excl. shipping
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    IPA65R190C7 - MOSFET N-Ch 650V 8A 30W 0,19R TO220-Fullpak
    650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server,Telecom, UPS and Solar.
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    • Price: 2.15 EUR excl. shipping
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    IPA65R225C7 - MOSFET N-Ch 650V 7A 29W 0,225R TO220-Fullpak
    650V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Better efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg• Best in class RDS(on) /package• Easy to use/drive• Pb-free plating, halogen free mold compound• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)Benefits• Enabling higher system efficiency• Enabling higher frequency / increased power density solutions• System cost / size savings due to reduced cooling requirements• Higher system reliability due to lower operating temperaturesApplicationsPFC stages and hard switching PWM stages for e.g. Computing, Server, Telecom, UPS and Solar.
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    • Price: 2.10 EUR excl. shipping
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    IGZ100N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 161A, 536W, TO-247-4
    IGZ100N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Extrem verlustarmes Schalten dank des Kelvin-Emitterpins in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solare String-Wandler• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IGZ50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 85A, 273W, TO-247-4
    IGZ50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Extrem verlustarmes Schalten dank des Kelvin-Emitterpins in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solare String-Wandler• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IGZ75N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 119A, 395W, TO-247-4
    IGZ75N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Extrem verlustarmes Schalten dank des Kelvin-Emitterpins in Kombination mit TRENCHSTOP™ 5• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solare String-Wandler• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    • Price: 4.81 EUR excl. shipping
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    IKA08N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 10,8A, 31,2W, TO-220-Fullpak
    IKA08N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IKA15N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 14A, 33,3W, TO-220-Fullpak
    IKA15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination mit der schnellen und weichen antiparallelen Diode RAPID 1Merkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-F5 TRENCHSTOP™ Technologieangebot• Klassenbester Wirkungsgrad bei hartem Schalten und Resonanztopologien• 650V Durchbruchspannung• Niedrige Gate-Ladung QG• IGBT mit schneller und weicher antiparalleler Diode RAPID 1• maximale Sperrschichttemperatur 175°C• nach JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert• Pb-freie Verbleiung, halogenfreie Formmasse, RoHS-konform• Vollständiges Produktspektrum und PSpice-Modelle: http://www.infineon.com/igbt/Anwendungen:• Solar-Umrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgungen• Schweißkonverter• Schaltfrequenzwandler für den mittleren bis hohen Bereich
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    IDH02G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 2A, TO220AC
    5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung
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