363 Results for : mosfets

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    STD7NM60N - MOSFET N-Kanal, 600 V, 5 A, RDS(on) 0,8 Ohm, TO252
    MDmesh™ II Power MOSFETsFeatures100% avalanche testedLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceDescriptionThese devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’slowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.ApplicationsSwitching applications
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    Asus ROG-STRIX-750G PC Netzteil 750W ATX 80PLUS® Gold
    Die Netzteile der ROG-Strix-Serie verbinden High-End-Kühlung und Premium-Komponenten zu einem ultra-leisen Hochleistungsprodukt, das speziell für Core Gamer entwickelt wurde. In Sachen Kühlung kommen massive ROG-Kühlkörper aus der mächtigen ROG-Thor-Serie und das Axial-Tech-Lüfterdesign unserer hochwertigen NVIDIA-RTX™-Grafikkarten zum Einsatz. Unterhalb der Oberfläche sorgen Low RDS (on) MOSFETs und hochwertige japanische Kondensatoren mit Leichtigkeit für eine optimale Stromversorgung. Das Ergebnis ist ein unglaublich leises und effizientes Netzteil, das selbst für extrem intensive Gaming-Szenarien genug Reserven bietet.
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    Asus ROG-STRIX-650G PC Netzteil 650W ATX 80PLUS® Gold
    Die Netzteile der ROG-Strix-Serie verbinden High-End-Kühlung und Premium-Komponenten zu einem ultra-leisen Hochleistungsprodukt, das speziell für Core Gamer entwickelt wurde. In Sachen Kühlung kommen massive ROG-Kühlkörper aus der mächtigen ROG-Thor-Serie und das Axial-Tech-Lüfterdesign unserer hochwertigen NVIDIA-RTX™-Grafikkarten zum Einsatz. Unterhalb der Oberfläche sorgen Low RDS (on) MOSFETs und hochwertige japanische Kondensatoren mit Leichtigkeit für eine optimale Stromversorgung. Das Ergebnis ist ein unglaublich leises und effizientes Netzteil, das selbst für extrem intensive Gaming-Szenarien genug Reserven bietet.
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    VNP35N07-E - MOSFET, N-CH, TO-220, 70 V, 35 A, 125 W
    Vollständig geschützte Low Voltage Power MOSFETs in VIPower TechnologieIntegrierte Schutzfunktionen gegen Überspannung, Übertemperatur und KurzschlussIntegrierte Status-Ausgabe, Strombegrenzung und ESD-Schutz
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    VNP5N07-E - MOSFET, 70 V, 5 A, RDS(on) 0,2 Ohm, TO-220
    Vollständig geschützte Low Voltage Power MOSFETs in VIPower TechnologieIntegrierte Schutzfunktionen gegen Überspannung, Übertemperatur und KurzschlussIntegrierte Status-Ausgabe, Strombegrenzung und ESD-Schutz
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    VNP10N07-E - MOSFET, N-Kanal, 70 V, 10 A, Rds(on) 0,1 Ohm, TO-220
    Vollständig geschützte Low Voltage Power MOSFETs in VIPower TechnologieIntegrierte Schutzfunktionen gegen Überspannung, Übertemperatur und KurzschlussIntegrierte Status-Ausgabe, Strombegrenzung und ESD-Schutz
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    DASGUPTA:Defect generation in oxides of
    Erscheinungsdatum: 09.11.2012, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Defect generation in oxides of p-channel MOSFETs inpresence of water, Titelzusatz: A Study, Autor: Dasgupta, Aritra, Verlag: VDM Verlag Dr. Müller e.K., Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 60, Informationen: Paperback, Gewicht: 107 gr, Verkäufer: averdo
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    Sverdlov:Strain-Induced Effects in Adva
    Erscheinungsdatum: 23.08.2016, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs, Auflage: Softcover reprint of the original 1st ed. 2011, Autor: Sverdlov, Viktor, Verlag: Springer Vienna // Springer Wien, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 268, Informationen: Paperback, Gewicht: 455 gr, Verkäufer: averdo
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    IRFL014NPBF - MOSFET N-Ch 55V 2,7A 0,16R SOT223
    HEXFET® Power MOSFETSurface MountAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingFast SwitchingFully Avalanche RatedLead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFET® MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are wellknown for, provides the designer with an extremely efficientand reliable device for use in a wide variety of applications.
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    Agaiby:THE RELIABILITY OF STRAINED SI M
    Erscheinungsdatum: 05/2010, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: THE RELIABILITY OF STRAINED SI MOSFETS ON VARIED TECHNOLOGY PLATFORMS, Titelzusatz: Reliability of Advanced Si Technology, Autor: Agaiby, Rimoon, Verlag: LAP Lambert Acad. Publ., Sprache: Englisch, Rubrik: Physik // Astronomie, Sonstiges, Seiten: 176, Informationen: Paperback, Gewicht: 278 gr, Verkäufer: averdo
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