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    Hauptmerkmale Speicher Kapazität 1000 GB Flash Card Typ CFexpress Lesegeschwindigkeit 1700 MB/s Schreibgeschwindigkeit 1400 MB/s Interner Speichertyp NAND Merkmale Schutzfunktion Kältebeständig, Hitzebeständig, Schockresistent, Röntgensicher Betriebsbedingungen Temperaturbereich in Betrieb 25 - 85 °C
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    4-Kanal, 2-Eingänge, 4,5-V bis 5,5-V bipolare NAND-GatterBeschreibung:Diese Bausteine enthalten vier unabhängige positive 2-Eingangs-NAND-Gatter. Sie führen die booleschen Funktionen Y = A - B oder Y = A + B in positiver Logik aus. Die SN54ALS00A und SN54AS00 sind für den Betrieb über den vollen militärischen Temperaturbereich von -55°C bis 125°C charakterisiert. Der SN74ALS00A und der SN74AS00 sind für den Betrieb von 0°C bis 70°C charakterisiert.
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    In CoreParts you will find a wide range of alternative SSD’s that match the performance of your original SSD with different sizes, Nand Flash and capacities, for Consumer or industrial use. All manufactured by high-end, certified and trusted suppliers. Hauptmerkmale Merkmale SSD-Formfaktor 2.5 SSD Speicherkapazität 240 GB Schnittstelle Serial ATA III Speichertyp 3D NAND Komponente für Server/Arbeitsstation Datenübertragungsrate 6 Gbit/s Lesegeschwindigkeit 550 MB/s Schreibgeschwindigkeit 500 MB/s Zufälliges Lesen (4KB) 60000 IOPS Zufälliges Schreiben (4KB) 70000 IOPS Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1500000 h Betriebsbedingungen Vibration Widerstand 20 G Gewicht und Abmessungen Breite 69,9 mm Tiefe 7 mm Höhe 100 mm Gewicht 63 g Verpackungsdaten Verpackungsbreite 70 mm Verpackungstiefe 120 mm Verpackungshöhe 30 mm Paketgewicht 70 g
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    Hauptmerkmale Merkmale SSD-Formfaktor M.2 SSD Speicherkapazität 1000 GB Schnittstelle PCI Express Speichertyp 3D NAND NVMe Ja Komponente für PC NVMe Version 1.4 Zufälliges Lesen (4KB) 420 IOPS Zufälliges Schreiben (4KB) 550 IOPS Sequenzielle Lesegeschwindigkeit (ATTO) 3300 MB/s Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit (ATTO) 3000 MB/s Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1500000 h TBW-Bewertung 400 Betriebsbedingungen Temperaturbereich bei Lagerung 40 - 85 °C Gewicht und Abmessungen Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 2,15 mm
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    Hauptmerkmale Merkmale SSD-Formfaktor 2.5 SSD Speicherkapazität 512 GB Schnittstelle Serial ATA III Speichertyp 3D NAND Komponente für PC/Notebook Sequenzielle Lesegeschwindigkeit (CDM) 550 MB/s Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit (CDM) 520 MB/s TRIM-Unterstützung Ja ECC Ja Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1000000 h Unterstützt Windows-Betriebssysteme Ja Unterstützt Mac-Betriebssysteme Ja Unterstützte Linux-Betriebssysteme Ja TBW-Bewertung 400 Leistung Arbeitsspannung 5 V Betriebsbedingungen Temperaturbereich in Betrieb 0 - 70 °C Temperaturbereich bei Lagerung 40 - 85 °C Luftfeuchtigkeit in Betrieb 5 - 95% Gewicht und Abmessungen Breite 69,9 mm Tiefe 100 mm Höhe 7 mm
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    CMOS Vierfach-2 Eingangs-NAND-Gate BeschreibungDie NAND-Gatter CD4011B, CD4012B und CD4023B bieten dem Systementwickler eine direkte Implementierung der NAND-Funktion und ergänzen die bestehende Familie der CMOS-Gatter. Alle Ein- und Ausgänge sind gepuffert.Die Typen CD4011B, CD4012B und CD4023B werden in 14-poligen Dual-in-Line-Kunststoffgehäusen (Suffix E) und 14-poligen Small-Outline-Gehäusen (Suffixe M, MT, M96 und NSR) geliefert. Merkmale• Ausbreitungsverzögerungszeit = 60 ns (typ.) bei CL = 50 pF, VDD = 10 V• Gepufferte Ein- und Ausgänge• Standardisierte symmetrische Ausgangskennlinien• Maximaler Eingangsstrom von 1 µA bei 18 V über den vollen Gehäusetemperaturbereich; 100 nA bei 18 V und 25°C• 100% geprüft auf Ruhestrom bei 20 V• Parametrische Nennwerte von 5 V, 10 V und 15 V• Rauschabstand (über den gesamten Pakettemperaturbereich: - 1 V bei VDD = 5 V - 2 V bei VDD = 10 V - 2,5 bei VDD = 15 V• Erfüllt alle Anforderungen des JEDEC-Tentativstandards Nr. 13B, ''Standardspezifikationen zur Beschreibung von CMOS-Bausteinen der Serie ''B''''''. - Vierfach-2-Eingangs-CD4011B - Dual 4 Eingang-CD4012B - Dreifach-3-Eingangs-CD4023B
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    CMOS-Doppel-4 Eingangs-NAND-Gate BeschreibungDie NAND-Gatter CD4011B, CD4012B und CD4023B bieten dem Systementwickler eine direkte Implementierung der NAND-Funktion und ergänzen die bestehende Familie der CMOS-Gatter. Alle Ein- und Ausgänge sind gepuffert.Die Typen CD4011B, CD4012B und CD4023B werden in 14-poligen Dual-in-Line-Kunststoffgehäusen (Suffix E) und 14-poligen Small-Outline-Gehäusen (Suffixe M, MT, M96 und NSR) geliefert. Merkmale• Ausbreitungsverzögerungszeit = 60 ns (typ.) bei CL = 50 pF, VDD = 10 V• Gepufferte Ein- und Ausgänge• Standardisierte symmetrische Ausgangskennlinien• Maximaler Eingangsstrom von 1 µA bei 18 V über den vollen Gehäusetemperaturbereich; 100 nA bei 18 V und 25°C• 100% geprüft auf Ruhestrom bei 20 V• Parametrische Nennwerte von 5 V, 10 V und 15 V• Rauschabstand (über den gesamten Pakettemperaturbereich: - 1 V bei VDD = 5 V - 2 V bei VDD = 10 V - 2,5 bei VDD = 15 V• Erfüllt alle Anforderungen des JEDEC-Tentativstandards Nr. 13B, ''Standardspezifikationen zur Beschreibung von CMOS-Bausteinen der Serie ''B''''''. - Vierfach-2-Eingangs-CD4011B - Dual 4 Eingang-CD4012B - Dreifach-3-Eingangs-CD4023B
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    CMOS Dreifach-3 Eingangs-NAND-Gate BeschreibungDie NAND-Gatter CD4011B, CD4012B und CD4023B bieten dem Systementwickler eine direkte Implementierung der NAND-Funktion und ergänzen die bestehende Familie der CMOS-Gatter. Alle Ein- und Ausgänge sind gepuffert.Die Typen CD4011B, CD4012B und CD4023B werden in 14-poligen Dual-in-Line-Kunststoffgehäusen (Suffix E) und 14-poligen Small-Outline-Gehäusen (Suffixe M, MT, M96 und NSR) geliefert. Merkmale• Ausbreitungsverzögerungszeit = 60 ns (typ.) bei CL = 50 pF, VDD = 10 V• Gepufferte Ein- und Ausgänge• Standardisierte symmetrische Ausgangskennlinien• Maximaler Eingangsstrom von 1 µA bei 18 V über den vollen Gehäusetemperaturbereich; 100 nA bei 18 V und 25°C• 100% geprüft auf Ruhestrom bei 20 V• Parametrische Nennwerte von 5 V, 10 V und 15 V• Rauschabstand (über den gesamten Pakettemperaturbereich: - 1 V bei VDD = 5 V - 2 V bei VDD = 10 V - 2,5 bei VDD = 15 V• Erfüllt alle Anforderungen des JEDEC-Tentativstandards Nr. 13B, ''Standardspezifikationen zur Beschreibung von CMOS-Bausteinen der Serie ''B''''''. - Vierfach-2-Eingangs-CD4011B - Dual 4 Eingang-CD4012B - Dreifach-3-Eingangs-CD4023B
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    EMTEC X150 Power Plus 3D NAND - Solid-State-Disk - 120 GB - intern - 2.5" (6.4 cm) - SATA 6Gb/s
    • Shop: Schäfer Shop
    • Price: 26.06 EUR excl. shipping
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    EMTEC X150 Power Plus 3D NAND - Solid-State-Disk - 240 GB - intern - 2.5" (6.4 cm) - SATA 6Gb/s
    • Shop: Schäfer Shop
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