• Samsung Semiconductor DRAM 8GB Samsung DDR3-1600 CL11 (512Mx8) ECC DR LV (1,35V) (M391B1G73QH0-YK0)

  Beschreibung Samsung Semiconductor DRAM 8GB Samsung DDR3-1600 CL11 (512Mx8) ECC DR LV (1,35V) (M391B1G73QH0-YK0) Features Chiphersteller:Samsung Chiporganisation:512Mx8 Datenintegritätsprüfung:ECC Form Faktor:Long DIMM 240pin Geschwindigkeit:1600 MHz (PC3-12800) Jedec-Norm:Jedec Norm Kapazität:8GB Latenzzeit:CL9 Modulhersteller:Samsung Modulkonfiguration:1Gx72 Modulmaße:133,35 x 30 x 4 mm RAM-Merkmale:unbuffered Technologie:DDR3 SDRAM Typ:Workstationspeicher Versorgungsspannung: 1.35 V

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  Samsung Semiconductor - DDR3L - 8 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - registriert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR3L - 8 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393B1G70BH0-YK0 Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - Memory - 8 GB - DIMM 240-PIN - DDR3L SDRAM Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Technologie DDR3L SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Datenintegritätsprüfung ECC Latenzzeiten CL11 (11-11-11) CAS Latency CL11 Ausführliche Details Allgemein Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3L SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Datenintegritätsprüfung ECC CAS Latency CL11 Verschiedenes Produktzertifizierungen Bleifrei, Halogenfrei, RoHS

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  Nitride Semiconductor Technology

  Erscheinungsdatum: 02.09.2020, Medium: Buch, Einband: Gebunden, Titel: Nitride Semiconductor Technology, Titelzusatz: Power Electronics and Optoelectronic Devices, Redaktion: Roccaforte, Fabrizio // Leszczynski, Michael, Verlag: Wiley-VCH GmbH, Sprache: Englisch, Schlagworte: Materialwissenschaft // Energietechnik // Chemie // Elektrotechnik und Energiemaschinenbau // Elektronik // Nachrichtentechnik, Rubrik: Chemie // Populäre Darstellungen, Seiten: 445, Abbildungen: 25 schwarz-weiße und 268 farbige Abbildungen, 16 schwarz-weiße Tabellen, Herkunft: SINGAPUR (SG), Gewicht: 1035 gr, Verkäufer: averdo

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  Samsung Semiconductor PM871b MZ7LN1T0HAJQ - SSD - 1TB - intern - 2.5 (6,4 cm) - SATA 6Gb/s (MZ7LN1T0HAJQ-00000)

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor PM871b MZ7LN1T0HAJQ - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - 2.5 (6.4 cm) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Semiconductor Hersteller Art. Nr. MZ7LN1T0HAJQ-00000 Modell PM871b MZ7LN1T0HAJQ EAN/UPC 4260580370153 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor PM871b MZ7LN1T0HAJQ - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor 2.5 (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale 3D V-NAND Technology Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor 2.5 (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale 3D V-NAND Technology Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 540 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 97000 IOPS 4 KB Random Write 88000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA Kompatibles Schaltfeld 2.5 (6.4 cm)

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  Samsung Semiconductor 64GB DDR4-2933 CL21 (DDP4Gx4) LRDIMM QR (M386A8K40CM2-CVFBY) - Sonderposten

  Samsung Semiconductor 64GB DDR4-2933 CL21 (DDP4Gx4) LRDIMM QR (M386A8K40CM2-CVFBY) Weitere Informationen Zustand Die Verpackung wurde bereits geöffnet und der Artikel zur Kontrolle ausgepackt.. Die Verpackung ist beschädigt, das Produkt jedoch in Ordnung. Der Artikel wurde durch den Hersteller/Servicepartner überprüft. Haupt-Artikel, Originalverpackung

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  Samsung Semiconductor PM981 MZVLB512HBJQ - SSD - 512GB - intern - M.2 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) (MZVLB512HBJQ-00000)

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor PM981 MZVLB512HBJQ - Solid-State-Disk - 512 GB - intern - M.2 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Semiconductor Hersteller Art. Nr. MZVLB512HBJQ-00000 Modell PM981 MZVLB512HBJQ EAN/UPC 8592978177553 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor PM981 MZVLB512HBJQ - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - NVM Express (NVMe) Kapazität 512 GB Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) Leistung Interner Datendurchsatz 3000 MBps (lesen)/ 1800 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write 420000 IOPS Maximal 4 KB Random Read 270000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen PCI Express 3.0 x8 (NVMe) - M.2 Card Kompatibles Schaltfeld M.2

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  Ohtsubo, Junji: Semiconductor Lasers

  Erscheinungsdatum: 28.07.2018, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Semiconductor Lasers, Titelzusatz: Stability, Instability and Chaos, Auflage: 4. Auflage von 2018 // Softcover reprint of the original 4th ed. 2017, Autor: Ohtsubo, Junji, Verlag: Springer International Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektrizität // Magnetismus, Optik, Seiten: 692, Informationen: Paperback, Gewicht: 1031 gr, Verkäufer: averdo

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  Single Frequency Semiconductor Lasers

  Erscheinungsdatum: 12.12.2018, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Single Frequency Semiconductor Lasers, Auflage: Softcover reprint of the original 1st ed. 2017, Autor: Cai, Haiwen // Chen, Gaoting // Fang, Zujie // Qu, Ronghui, Verlag: Springer Singapore, Sprache: Englisch, Schlagworte: Optische Physik // Mikrowellentechnik // Angewandte Optik, Rubrik: Elektrizität // Magnetismus, Optik, Seiten: 324, Informationen: Paperback, Gewicht: 493 gr, Verkäufer: averdo

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  Walker:Chaotic Semiconductor Lasers : A

  Erscheinungsdatum: 04/2009, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Chaotic Semiconductor Lasers : A Dynamical Analysis, Titelzusatz: Self-pulsation and Chaos in Semiconductor Laser Models, Autor: Walker, Ricki, Verlag: VDM Verlag, Sprache: Englisch, Rubrik: Physik // Astronomie, Sonstiges, Seiten: 236, Informationen: Paperback, Gewicht: 368 gr, Verkäufer: averdo

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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A4K40BB1-CRC Modell EAN/UPC 8592978101404 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 32 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Dual Rank, On-Die Termination (ODT), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 32 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.22 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, On-Die Termination (ODT), sechzehn Bänke, registriert Modulkonfiguration 4096 x 72 Chip-Organisation 2048 x 4 Spannung 1.2 V Verschiedenes

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