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    Taiwan Semiconductor TSC Charge Station - Drucker-Ladestation - für TSC Alpha-3R (98-0480016-00LF)
    Kurzinfo: TSC Charge Station - Drucker-Ladestation - für TSC Alpha-3R Gruppe USV & Stromversorgungsgeräte Hersteller Taiwan Semiconductor Hersteller Art. Nr. 98-0480016-00LF EAN/UPC Produktbeschreibung: TSC Charge Station - Drucker-Ladestation Gerätetyp Drucker-Ladestation - extern Entwickelt für TSC Alpha-3R Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Drucker-Ladestation - extern Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für TSC Alpha-3R
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    Samsung Semiconductor DRAM 32GB DDR4-2133 CL15 (2Gx4) ECC reg. DR (M393A4K40BB0-CPB)
    Beschreibung Samsung Semiconductor DRAM 32GB DDR4-2133 CL15 (2Gx4) ECC reg. DR (M393A4K40BB0-CPB) Technische Daten Kapazität 32GB Chiphersteller Samsung Chiporganisation 2Gx4 Modulmaße 133,35 x 31,25 x 4 mm Technologie DDR4 SDRAM Datenintegritätsprüfung ECC RAM-Merkmale buffered Form Faktor 288-pin LongDIMM Latenzzeit CL15 Geschwindigkeit DDR4-2133 (PC4-17000) Versorgungsspannung 1,2 V Modulkonfiguration 4Gx72 Typ Serverspeicher Modulhersteller Samsung
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    Samsung Semiconductor - DDR4 - 16GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 registriert - ECC (M393A2K40CB2-CTD)
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2K40CB2-CTD Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Registriert Modulkonfiguration 2048 x 72 Chip-Organisation 2048 x 4 Spannung 1.2 V
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    Samsung Semiconductor - Memory - 2GB - DIMM 240-PIN - DDR2 - 800 MHz - PC2-6400 - CL6 (M378T5663EH3-CF7)
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - Memory - 2 GB - DIMM 240-PIN - DDR2 - 800 MHz / PC2-6400 - CL6 - 1.8 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M378T5663EH3-CF7 Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor Memory - 2 GB - DIMM 240-PIN - DDR2 Speicherkapazität 2 GB Erweiterungstyp Generisch Technologie DDR2 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 800 MHz (PC2-6400) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Latenzzeiten CL6 (6-6-6) Leistungsmerkmale Ungepuffert Versorgungsspannung 1.8 V Ausführliche Details Allgemein Speicherkapazität 2 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR2 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 800 MHz (PC2-6400) Latenzzeiten CL6 (6-6-6) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC RAM-Merkmale Ungepuffert Modulkonfiguration 256 x 64 Versorgungsspannung 1.8 V Erweiterung / Konnektivität Kompatible Steckplätze 1 x Speicher - DIMM 240-PIN Verschiedenes Produktzertifizierungen RoHS
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    Rudan, Massimo: Physics of Semiconductor Devices
    Erscheinungsdatum: 24.08.2018, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Physics of Semiconductor Devices, Auflage: 2. Auflage von 2018 // Softcover reprint of the original 2nd ed. 2018, Autor: Rudan, Massimo, Verlag: Springer International Publishing, Sprache: Englisch, Schlagworte: Elektronische Geräte und Materialien, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 968, Informationen: Paperback, Gewicht: 1434 gr, Verkäufer: averdo
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    Samsung Semiconductor - DDR3L - 8 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - registriert - ECC
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR3L - 8 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393B1G70BH0-YK0 Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - Memory - 8 GB - DIMM 240-PIN - DDR3L SDRAM Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Technologie DDR3L SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Datenintegritätsprüfung ECC Latenzzeiten CL11 (11-11-11) CAS Latency CL11 Ausführliche Details Allgemein Paketierte Menge 1 Speicherkapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3L SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1600 MHz Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Datenintegritätsprüfung ECC CAS Latency CL11 Verschiedenes Produktzertifizierungen Bleifrei, Halogenfrei, RoHS
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    Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - LRDIMM 288-polig - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - Load-Reduced - ECC
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - LRDIMM 288-polig - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - Load-Reduced - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M386A8K40CM2-CTD Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - LRDIMM 288-polig - LRDIMM Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 64 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - LRDIMM 288-polig Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 Leistungsmerkmale Quad Rank, Load-Reduced Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 64 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor LRDIMM 288-polig Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Quad Rank, Load-Reduced Chip-Organisation X4 Spannung 1.2 V
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    Semiconductor Sales Leaders by Year
    Erscheinungsdatum: 06.02.2010, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Semiconductor Sales Leaders by Year, Titelzusatz: Fabless Semiconductor Company, Integrated Device Manufacturer, Intel Corporation, Samsung Group, Redaktion: Surhone, Lambert M. // Timpledon, Miriam T. // Marseken, Susan F., Verlag: VDM Verlag Dr. Müller e.K., Sprache: Englisch, Rubrik: Technik // Sonstiges, Seiten: 88, Informationen: Paperback, Gewicht: 149 gr, Verkäufer: averdo
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    Samsung Semiconductor DRAM 8GB Samsung DDR3-1600 CL11 (512Mx8) ECC DR LV (1,35V) (M391B1G73QH0-YK0)
    Beschreibung Samsung Semiconductor DRAM 8GB Samsung DDR3-1600 CL11 (512Mx8) ECC DR LV (1,35V) (M391B1G73QH0-YK0) Features Chiphersteller:Samsung Chiporganisation:512Mx8 Datenintegritätsprüfung:ECC Form Faktor:Long DIMM 240pin Geschwindigkeit:1600 MHz (PC3-12800) Jedec-Norm:Jedec Norm Kapazität:8GB Latenzzeit:CL9 Modulhersteller:Samsung Modulkonfiguration:1Gx72 Modulmaße:133,35 x 30 x 4 mm RAM-Merkmale:unbuffered Technologie:DDR3 SDRAM Typ:Workstationspeicher Versorgungsspannung: 1.35 V
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    Samsung Semiconductor - DDR4 - 16GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 registriert - Parität - ECC (M393A2K40CB1-CRC)
    Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - Parität - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2K40CB1-CRC Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Registriert - Parität Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Registriert - Parität Modulkonfiguration 2048 x 72 Chip-Organisation 2048 x 4 Spannung 1.2 V
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