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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2K43CB2-CTD Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Registriert Modulkonfiguration 2048 x 72 Chip-Organisation 1024 x 8 Spannung 1.2 V

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  Sze: Semiconductor Sensors

  Erscheinungsdatum: 14.10.1994, Medium: Buch, Einband: Gebunden, Titel: Semiconductor Sensors, Autor: Sze, Verlag: John Wiley & Sons // Wiley, John, & Sons, Inc, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 568, Informationen: HC gerader Rücken kaschiert, Gewicht: 1012 gr, Verkäufer: averdo

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  Rudan, Massimo: Physics of Semiconductor Devices

  Erscheinungsdatum: 24.08.2018, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Physics of Semiconductor Devices, Auflage: 2. Auflage von 2018 // Softcover reprint of the original 2nd ed. 2018, Autor: Rudan, Massimo, Verlag: Springer International Publishing, Sprache: Englisch, Schlagworte: Elektronische Geräte und Materialien, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 968, Informationen: Paperback, Gewicht: 1434 gr, Verkäufer: averdo

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  Levi, A F J: Essential Semiconductor Laser Physics

  Erscheinungsdatum: 18.07.2018, Medium: Buch, Einband: Gebunden, Titel: Essential Semiconductor Laser Physics, Autor: Levi, A F J, Verlag: IOP Concise Physics, Sprache: Englisch, Schlagworte: SCIENCE // Astronomy, Rubrik: Astronomie, Seiten: 110, Informationen: HC gerader Rücken kaschiert, Gewicht: 420 gr, Verkäufer: averdo

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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - ungepuffert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - ungepuffert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M391A2K43BB1-CRC Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - ungepuffert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Dual Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Modulkonfiguration 2048 x 72 Chip-Organisation 1024 x 8 Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung Bleifrei, halogenfrei

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  Samsung Semiconductor - DDR3L - 32GB - LRDIMM 240-polig - 1600 MHz / PC3L-12800L - CL11 Load-Reduced - ECC (M386B4G70DM0-YK03J)

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR3L - 32 GB - LRDIMM 240-polig - 1600 MHz / PC3L-12800L - CL11 - 1.35 V - Load-Reduced - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M386B4G70DM0-YK03J Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR3L - 32 GB - LRDIMM 240-polig Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 32 GB Speichertyp DDR3L SDRAM - LRDIMM 240-polig Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3L-12800L) Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Leistungsmerkmale Quad Rank, acht Bänke, Niederspannung , Load-Reduced Spannung 1.35 V Äquivalente Teilenummer OEM-Hersteller Samsung M386B4G70DM0-YK03J Ausführliche Details Allgemein Kapazität 32 GB Erweiterungstyp Generisch Äquivalente Teilenummer OEM-Hersteller Samsung M386B4G70DM0-YK03J Speicher Typ DRAM Technologie DDR3L SDRAM Formfaktor LRDIMM 240-polig Modulhöhe (Zoll) 1.19 Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3L-12800L) Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Quad Rank,

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  Karimov:Organic Semiconductor Electrome

  Erscheinungsdatum: 04/2011, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Organic Semiconductor Electromechanical Sensors, Titelzusatz: Pressure, Displacement and Strain Sensors, Autor: Karimov, Khasan // Abid, Muhammad, Verlag: VDM Verlag, Sprache: Englisch, Rubrik: Geowissenschaften // Sonstiges, Seiten: 88, Informationen: Paperback, Gewicht: 147 gr, Verkäufer: averdo

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  Singh:Quantized Semiconductor Structure

  Erscheinungsdatum: 03.05.2015, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Quantized Semiconductor Structures, Titelzusatz: Theoretical Analysis of Few Electronic Properties, Autor: Singh, Lairenlakpam Joyprakash, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Theoretische Physik, Seiten: 304, Informationen: Paperback, Gewicht: 471 gr, Verkäufer: averdo

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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - 2933 MHz / PC4-23400 - CL21 - 1.2 V - registriert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - 2933 MHz / PC4-23400 - CL21 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A8G40MB2-CVF Modell EAN/UPC 8592978127831 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 64 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 64 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2933 MHz (PC4-23400) Latenzzeiten CL21 Leistungsmerkmale Dual Rank, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 64 GB Erweiterungstyp Generisch Höhe 31.3 mm Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2933 MHz (PC4-23400) Latenzzeiten CL21 Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, registriert Modulkonfiguration 8192 x 72 Chip-Organisation 1024 x 4 Spannung 1.2 V

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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 16GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 registriert - ECC (M393A2K43BB1-CTD)

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2K43BB1-CTD Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke , registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke ,

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