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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 16GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 registriert - ECC (M393A2K43CB1-CRC)

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2K43CB1-CRC Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert

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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2K40BB2-CTD Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Single Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Single Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke,

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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 8 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 8 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A1K43BB0-CRC Modell EAN/UPC 4260387380997 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 8 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 8 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Single Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Single Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect

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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2G40EB1-CRC Modell EAN/UPC 0800953188547 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect

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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A4K40CB1-CRC Modell EAN/UPC 8592978088408 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN - registriert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 32 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Dual Rank, On-Die Termination (ODT), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 32 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank, On-Die Termination (ODT), sechzehn Bänke, registriert Modulkonfiguration 4096 x 72 Chip-Organisation 2048 x 4 Spannung 1.2

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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A2G40EB2-CTD Modell EAN/UPC 8435280901556 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 16 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn

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  Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registriert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M393A4K40BB2-CTD Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR4 - 32 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 32 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 32 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2666 MHz (PC4-21300) Latenzzeiten CL19 (19-19-19) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, registriert

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  Selected Semiconductor Research

  Erscheinungsdatum: 28.02.2011, Medium: Buch, Einband: Gebunden, Titel: Selected Semiconductor Research, Redaktion: Li, Ming-Fu, Verlag: IMPERIAL COLLEGE PRESS, Sprache: Englisch, Schlagworte: TECHNOLOGY & ENGINEERING // Electronics // Solid State, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 528, Informationen: HC gerader Rücken kaschiert, Gewicht: 909 gr, Verkäufer: averdo

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  Murtaza:Organic semiconductor Phthalocy

  Erscheinungsdatum: 07/2011, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Organic semiconductor Phthalocyanine-Based Devices, Titelzusatz: Fabrication and Electrical Characterization, Autor: Murtaza, Imran, Verlag: LAP Lambert Acad. Publ., Sprache: Englisch, Rubrik: Physik // Astronomie, Sonstiges, Seiten: 136, Informationen: Paperback, Gewicht: 219 gr, Verkäufer: averdo

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• Samsung Semiconductor - DDR3L - 8 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - ungepuffert - ECC

  Kurzinfo: Samsung Semiconductor - DDR3L - 8 GB - DIMM 240-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 / 1.5 V - ungepuffert - ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M391B1G73QH0-YK0 Modell EAN/UPC 4053162748033 Produktbeschreibung: Samsung Semiconductor - DDR3L - 8 GB - DIMM 240-PIN - ungepuffert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 8 GB Speichertyp DDR3L SDRAM - DIMM 240-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3L-12800) Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Leistungsmerkmale Temperaturüberwachung, acht Bänke, On-Die Termination (ODT), Niederspannung, ungepuffert Spannung 1.35 / 1.5 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3L SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.18 Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3L-12800) Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Temperaturüberwachung, acht Bänke, On-Die Termination (ODT), Niederspannung, ungepuffert Modulkonfiguration

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