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  EVALMASTERGAN2 - Demonstrationsboard für MASTERGAN2, 650 V GaN HEMTs

  Das EVALMASTERGAN2-Board ist ein einfach zu bedienendes und schnell anpassbares Werkzeug, um die Eigenschaften des MASTERGAN2 zu bewerten und schnell neue Topologien zu erstellen, ohne dass ein komplettes PCB-Design erforderlich ist.Der EVALMASTERGAN2 bietet einen integrierten programmierbaren Totzeitgenerator mit einer einzigen VCC-Versorgung (typ. 6 V). Ein integrierter linearer Spannungsregler bietet eine 3,3-V-Schiene zur Versorgung von Niederspannungs-Logikschaltungen wie Mikrocontrollern oder FPGA.Einige Ersatz-Footprints sind ebenfalls enthalten, um das Board an die endgültige Anwendung anpassen zu können. Zu diesen Anpassungen gehören: Verwendung eines separaten Eingangssignals oder eines einzelnen PWM-Signals, Verwendung einer externen Bootstrap-Diode, separate Versorgung für VCC, PVCC oder Vbo und auch die Verwendung eines Low-Side-Shunt-Widerstands für Spitzenstrom-Topologien.Alle Pins des MASTERGAN sind zugänglich.Der EVALMASTERGAN2 ist eine 56 x 70 mm breite FR-4-Leiterplatte, die ohne Zwangsbelüftung einen Rth(J-A) von 35 °C/W ergibt. Besondere Merkmale2x Enhanced Mode GaN HEMTsHalbbrücken Entwicklungsboard, geeignet für 600 VVersorgungsspannungseingang über Schraubklemmeintegrierter Totzeitgenerator Signale mit unabhängig voneinander einstellbaren TotzeitenIntegrierter 3,3-V-Regler für die Versorgung externer SchaltkreiseHochfrequenzanschluss für MASTERGAN2 GL- und GH-Pin-ÜberwachungSteckplätze für Low Side Shunt, externe Bootstrap-KondensatorenMaße: 56 x 70 mm

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  • Price: 184.15 EUR excl. shipping
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  MASTERGAN2 - GaN H-Brücke, 600 V, 10/6,5 A, 0,15/0,225 Ohm,QFN-31

  Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren (Anreicherungstyp) in Halbbrückenkonfiguration integriert. Die integrierten GaN-Leistungstransistoren haben eine Drain-Source-Sperrspannung von 650 V und einen RDS(ON) von 150 mOhm bzw. 225 mOhm für die Low- bzw. High-Seite, während die High-Seite des integrierten Gate-Treibers problemlos durch die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden kann.Der MASTERGAN2 verfügt sowohl im unteren als auch im oberen Treiberbereich über einen UVLO-Schutz, der verhindert, dass die Leistungsschalter bei niedrigem Wirkungsgrad oder unter gefährlichen Bedingungen betrieben werden, und die Verriegelungsfunktion vermeidet Querschlüsse.Technische MerkmaleQFN 9 x 9 x 1 mm packageRDS(ON) = 150 mOhm (LS) + 225 mOhm (HS)IDS(MAX) = 10 A (LS) + 6,5 A (HS)Der erweiterte Bereich der Eingangspins ermöglicht eine einfache Anbindung an Mikrocontroller, DSP-Einheiten oder Hall-Effekt-Sensoren.Der Baustein ist in einem kompakten 9x9 mm QFN-Gehäuse erhältlich. Besondere MerkmaleAsymmetrische HalbbrückeRückwärtsstromfähigkeitNull RückspeiseverlustUVLO-Schutz auf Low-Side und High-SideInterne Bootstrap-DiodeInterlocking-FunktionDedizierter Pin für Shutdown-FunktionalitätPräzise interne Zeitanpassung3,3 V bis 15 V kompatible Eingänge mit Hysterese und Pull-downSchutz vor ÜbertemperaturenReduzierte BOMSehr kompaktes und vereinfachtes LayoutFlexibles, einfaches und schnelles DesignAplikationenSchaltnetzteileLadegeräte und AdapterHochspannungs-PFC-, DC-DC- und DC-AC-WandlerUPS-SystemeSolarstrom

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