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    Kett Punch Alle Geschwindigkeiten - Topeak
    Topeak-Kettenstanze Alle Speeds, einschließlich Kettenhaken / Kettenhaken, geformte CrMo-Kettenstanze, kompatibel mit bis zu 12-fach Shimano, Sram und SRAMs 12-fach EAGLE-Serie, KMC und Campagnolo, TPS-SP48
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    Topeak Kett Punch Alle Geschwindigkeiten
    Topeak-Kettenstanze Alle Speeds, einschließlich Kettenhaken / Kettenhaken, geformte CrMo-Kettenstanze, kompatibel mit bis zu 12-fach Shimano, Sram und SRAMs 12-fach EAGLE-Serie, KMC und Campagnolo, TPS-SP48
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    Chatterjee:Single Event Upset in Dual-
    Erscheinungsdatum: 09.07.2012, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Single Event Upset in Dual- and Triple-Well SRAMs, Titelzusatz: Radiation-induced Charge Collection Mechanisms in sub-90nm Dual- and Triple-well CMOS SRAMs, Autor: Chatterjee, Indranil, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 96, Informationen: Paperback, Gewicht: 161 gr, Verkäufer: averdo
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    DS 1220 AD-150 - Nichtflüchtiger SRAM, 16Kb, EDIL-24
    BESCHREIBUNGDie 16k nichtflüchtigen SRAMs DS1220AB und DS1220AD sind 16.384-Bit, vollstatische, nichtflüchtige SRAMs, organisiert als 2048 Wörter x 8 Bit. Jedes NV SRAM verfügt über eine in sich geschlossene Lithium-Energiequelle und eine Steuerschaltung, die VCC ständig auf eine außerhalb der Toleranz liegende Beeinträchtigung überwacht. Im Bedarfsfall wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet und der Schreibschutz unbedingt aktiviert, um Datenverluste zu vermeiden. Die NV-SRAMs können anstelle von bestehenden 2k x 8 SRAMs verwendet werden, die direkt dem beliebten byteweiten 24-Pin-DIP-Standard entsprechen. Die Pinnings entsprechen auch der Belegung des 2716 EPROM und des 2816 EEPROMs, was eine direkte Substitution bei gleichzeitiger Leistungssteigerung ermöglicht. Es gibt keine Begrenzung der Anzahl der ausführbaren Schreibzyklen und es ist keine zusätzliche Trägerschaltung für die Mikroprozessor-Schnittstellen erforderlich.FEATURESMindestens 10 Jahre Datenspeicherung ohne externe StromversorgungDaten werden bei Stromausfall automatisch geschützt.Ersetzt direkt 2k x 8 flüchtige statische RAMs oder EEPROMs.Unbegrenzte SchreibzyklenNiedrigleistungs-CMOSJEDEC Standard 24-Pin DIP GehäuseLese- und Schreibzugriffszeiten von 100 nsDie Lithium-Energiequelle wird elektrisch abgeschaltet, um die Frische bis zum ersten Einschalten der Stromversorgung zu erhalten.Voller ±10% VCC-Arbeitsbereich (DS1220AD)Optional ±5% VCC-Arbeitsbereich (DS1220AB)Optionaler industrieller Temperaturbereich von-40°C bis +85°C,
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    Kelkar:Tradeoffs Involved in Design of
    Erscheinungsdatum: 06/2012, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Tradeoffs Involved in Design of SRAMs, Autor: Kelkar, Indraneel, Verlag: AV Akademikerverlag, Sprache: Englisch, Rubrik: Informatik // EDV, Sonstiges, Seiten: 136, Informationen: Paperback, Gewicht: 219 gr, Verkäufer: averdo
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    DS 1245 Y-100 - Echtzeituhr, NV-SRAM, DIL-32
    The DS1245 1024k Nonvolatile SRAMs are1,048,576-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 131,072 words by 8 bits. Each complete NV, SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly mo nitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. DIP-package DS1245 devices can be used in place of existing 128k x 8 static RAMs directly conforming to the popular bytewide 32-pin DIP standard. DS1245 devices in the PowerCap Module package are directly surface mountable and are normally paired with a DS9034PC PowerCap to form a complete Nonvolatile SRAM module. There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.
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    DS 1230 Y-120 - Echtzeituhr, Uhr/Kalender, EDIL-28
    The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV, SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors V, CC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. DIP-package DS1230 devices can be used in place of existing 32k x 8 static RAMs directly conforming to the popular bytewide 28-pin DIP standard. The DIP devices also match the pinout of 28256 EEPROMs, allowing direct substitution while enhancing performance. DS1230 devices in the Low Profile Module package are specifically designed for surface-mount applications. There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.
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    DS 1230 Y-150+ - Echtzeituhr, NV-SRAM, EDIL-28
    The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV, SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors V, CC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. DIP-package DS1230 devices can be used in place of existing 32k x 8 static RAMs directly conforming to the popular bytewide 28-pin DIP standard. The DIP devices also match the pinout of 28256 EEPROMs, allowing direct substitution while enhancing performance. DS1230 devices in the Low Profile Module package are specifically designed for surface-mount applications. There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.
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    DS 1230 Y-200 - Echtzeituhr, NV-SRAM, EDIL-28
    The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV, SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors V, CC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. DIP-package DS1230 devices can be used in place of existing 32k x 8 static RAMs directly conforming to the popular bytewide 28-pin DIP standard. The DIP devices also match the pinout of 28256 EEPROMs, allowing direct substitution while enhancing performance. DS1230 devices in the Low Profile Module package are specifically designed for surface-mount applications. There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.
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    SRAM X01 Schalthebel (11-fach, mit unauffälliger Klemmschelle) - Schalthebel
    Der SRAM X01 Antrieb folgt der Tradition von SRAMs preisgekrönter 1X™ Philosophie bis in die Berge. Die Konfiguration ist einfacher. Der Antrieb ist leichter. Die Schaltung ist schnell und solide. Fazit: Der X01 ist genau der richtige Schalthebel für jedes Terrain bei jeder Fahrt. Der neue X01 Schalthebel wurde mit SRAMs X-ACTUATION™ Technologie ausgestattet und wurde speziell für das 1X™ Gruppenset von SRAM hergestellt. Er sorgt somit für ein scharfes und gleichmäßiges Schalten entlang der gesamten 10- bis 42-Zahn Kassette. Ebenfalls mit Zero Loss Travel™. Kein Verlust des Schaltwegs, bevor dass Kabel die Schaltklinke bewegt. Kein Schwungverlust. Kein Verlust von Vorteilen. Einfach null Verlust. Punkt. Profitieren Sie von unserem X01 Schalthebel zusammen mit dem 1:1 Übersetzungsverhältnis und SRAMs Geometrie mit konstantem Abstand. Wechseln Sie nicht einfach nur Gänge, betreten Sie das Reich für höhere Schaltleistung.
    • Shop: Wiggle DACH
    • Price: 107.99 EUR excl. shipping

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